[发明专利]一种宽带透射增强器件及控制方法在审

专利信息
申请号: 201910703751.2 申请日: 2019-07-31
公开(公告)号: CN110444898A 公开(公告)日: 2019-11-12
发明(设计)人: 张林;黄奕舒;郭宇昊 申请(专利权)人: 天津大学
主分类号: H01Q15/00 分类号: H01Q15/00;B81B7/04;B81B3/00
代理公司: 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 代理人: 韩帅
地址: 300072*** 国省代码: 天津;12
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摘要:
搜索关键词: 单位晶格 微纳结构 透射 基底 宽带 不规则图形 透射率曲线 等效介质 几何参数 几何图案 理论设计 新型宽带 有效减少 倍频程 透射率 中结构 倒角 宽谱 融合 加工
【权利要求书】:

1.一种宽带透射增强器件,包括基底和位于基底上面的微纳结构阵列,其特征在于微纳结构阵列的单位晶格内含有多个结构。

2.根据权利要求1所述宽带透射增强器件,其特征在于,所述微纳结构阵列的高度为H,结构之间的最小间隙为d,微纳结构阵列的最大深宽比为H/d;所述微纳结构阵列的最大深宽比,其值小于3.5。

3.根据权利要求1所述宽带透射增强器件,其特征在于,所述结构的横截面是多个图形相互融合所形成的的不规则图形。

4.根据权利要求3所述宽带透射增强器件,其特征在于,所述多个图形可以是任意闭合曲线或折线所围成的区域,任意闭合曲线或折线所围成的区域的相互嵌套,任意闭合曲线或折线所围成的区域的相互交叉,以及任意闭合曲线或折线所围成的区域的相互嵌套和交叉。

5.根据权利要求1所述宽带透射增强器件,其特征在于,所述微纳结构阵列的单位晶格的周期为目标波段的最短波长的1.5-2.5倍。

6.根据权利要求1所述宽带透射增强器件,其特征在于,所述微纳结构阵列的高度为目标波段最短波长的0.2-0.4倍。

7.根据权利要求1所述宽带透射增强器件,其特征在于,所述微纳结构阵列的单位晶格内各个结构的各自的最小外接圆圆心之间的距离为结构间距;所述结构间距,其值为微纳结构阵列单位晶格的周期的0.25-0.5倍。

8.根据权利要求1所述宽带透射增强器件,其特征在于,所述基底和位于基底上面的微纳结构阵列可以是以下几种材料中的任意一种或两种:第IV族材料,第IV族化合物,S基化合物,Se基化合物,III-V族化合物和氮化物。

9.根据权利要求1所述宽带透射增强器件,其特征在于,所述器件宽带透射增强的工作波段可通过结构参数的比例调整在整个光谱范围(从紫外波段到太赫兹波段)内移动。

10.一种基于宽带透射增强器件的透射率曲线控制方法,其特征在于,基于等效介质理论,设计器件单位晶格内的各个结构的个数、足以充分描述结构外形的各个几何参数、结构的间距和单位晶格的周期,然后采用电磁场建模方法得到透射率曲线。

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