[发明专利]沟槽隔离结构及其形成方法、图像传感器

权利要求书

1.一种沟槽隔离结构，其特征在于，包括：

半导体衬底，包括若干像素单元区域；

第一沟槽，形成在所述像素单元区域中，相邻第一沟槽之间的距离与进入所述像素单元区域的入射光在所述相邻第一沟槽之间的半导体区域的反射率相关，所述入射光在具有不同的相邻第一沟槽之间的距离的半导体区域的反射率不同；

其中，所述像素单元区域包括绿色像素单元区域和红色像素单元区域，所述绿色像素单元区域中相邻第一沟槽之间的距离与绿色光在绿色像素单元区域中的半导体区域的反射率相关，所述红色像素单元区域中相邻第一沟槽之间的距离与红色光在红色像素单元区域中的半导体区域的反射率相关。

2.如权利要求1所述的沟槽隔离结构，其特征在于，不同波长的入射光进入不同的像素单元区域；不同像素单元区域的相邻第一沟槽之间的距离不同。

3.如权利要求1所述的沟槽隔离结构，其特征在于，所述绿色像素单元区域中相邻第一沟槽之间的距离为100nm～120nm。

4.如权利要求1所述的沟槽隔离结构，其特征在于，所述红色像素单元区域中相邻第一沟槽之间的距离为130nm～150nm。

5.如权利要求1所述的沟槽隔离结构，其特征在于，所述像素单元区域还包括蓝色像素单元区域，所述蓝色像素单元区域中相邻第一沟槽之间的距离与蓝色光在蓝色像素单元区域中的半导体区域的反射率相关。

6.如权利要求5所述的沟槽隔离结构，其特征在于，所述蓝色像素单元区域中相邻第一沟槽之间的距离为120nm～130nm。

7.如权利要求1所述的沟槽隔离结构，其特征在于，所述像素单元区域还包括红外像素单元区域，所述红外像素单元区域中相邻第一沟槽之间的距离与红外光在红外像素单元区域中的半导体区域的反射率相关。

8.如权利要求7所述的沟槽隔离结构，其特征在于，所述红外像素单元区域中相邻第一沟槽之间的距离为100nm～120nm。

9.如权利要求1所述的沟槽隔离结构，其特征在于，还包括第二沟槽，形成于相邻像素单元区域之间，所述第二沟槽的深度大于所述第一沟槽的深度；所述第二沟槽与相邻的第一沟槽之间的距离与进入所述像素单元区域的入射光在所述第二沟槽与相邻的第一沟槽之间的半导体区域的反射率相关。

10.一种权利要求1至9任一项所述的沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底包括若干像素单元区域；

根据进入所述像素单元区域的入射光在具有不同的相邻第一沟槽之间的距离的半导体区域的反射率不同确定相邻第一沟槽之间的距离；

根据所确定的相邻第一沟槽之间的距离在所述像素单元区域中形成第一沟槽。

11.一种图像传感器，其特征在于，包括：

如权利要求1～9任一项所述的沟槽隔离结构；

第二沟槽，形成于相邻像素单元区域之间，所述第二沟槽的深度大于所述第一沟槽的深度；所述第二沟槽与相邻的第一沟槽之间的距离与进入所述像素单元区域的入射光在所述第二沟槽与相邻的第一沟槽之间的半导体区域的反射率相关。

12.如权利要求11所述的图像传感器，其特征在于，还包括：

填充层，覆盖所述半导体衬底并填充所述第一沟槽和第二沟槽；

滤色层，形成于所述填充层上，且与所述像素单元区域对应。