[发明专利]光器件、光IC芯片、晶圆和光收发器模块有效
申请号: | 201910705914.0 | 申请日: | 2019-08-01 |
公开(公告)号: | CN110858015B | 公开(公告)日: | 2021-10-29 |
发明(设计)人: | 杉山昌树 | 申请(专利权)人: | 富士通光器件株式会社 |
主分类号: | G02B6/12 | 分类号: | G02B6/12;G02B6/26 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 刘久亮;黄纶伟 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 器件 ic 芯片 收发 模块 | ||
光器件、光IC芯片、晶圆和光收发器模块。光器件形成在光IC芯片上。光IC芯片的形状是矩形或平行四边形。该光器件包括:光器件电路;第一光波导,所述第一光波导联接到所述光器件电路;焊盘,所述焊盘电连接至所述光器件电路;光栅耦合器;以及第二光波导,所述第二光波导联接到所述光栅耦合器。所述焊盘被形成在所述光IC芯片的靠近第一边的区域中,所述光栅耦合器被形成在所述光IC芯片上的不靠近所述第一边的特定区域中。所述第一光波导和所述第二光波导分别延伸至所述光IC芯片的边缘。
技术领域
本文所讨论的实施方式涉及光器件和光收发器模块。
背景技术
图1示出了光器件的示例。该示例中的光器件包括光接收器10和光调制器20。光器件被提供有由光源(未示出)生成的连续波光LD_in。
光接收器10包括可变光衰减器(VOA)、监测光电探测器(mPD)、偏振分束器(PBS)、偏振旋转器(PR)、90度光混合电路以及光电探测器(PD XI、PD XQ、PD YI、PD YQ)。光接收器10借助于使用连续波光LD_in的相干检测生成表示接收光信号Rx_in的电场信息信号RF_out。注意,VOA中的衰减量通过经由焊盘1提供的功率控制信号控制。表示由mPD监测的接收光功率的监测信号经由焊盘2输出。
光调制器20包括调制器(modXI、modXQ、modYI、modYQ)、可变光衰减器(VOA)、监测光电探测器(mPD)、偏振旋转器(PR)和偏振合束器(PBC)。光调制器20用数据信号RF_in调制连续波光LD_in,并生成调制光信号Tx_out。注意,与各极化对应的调制光信号的相位通过经由焊盘3和焊盘4提供的相位控制信号来控制。在VOA中,与各极化对应的衰减量通过经由焊盘5和焊盘6提供的功率控制信号控制。表示与mPD监测到的各极化相对应的光传输功率的监测信号经由焊盘7和焊盘8输出。
光器件形成在光IC芯片上。当测试光IC芯片时,光纤在芯片的边缘处与各光波导对准。更具体地,光信号Rx_in和连续波光LD_in从光IC芯片的边缘被输入到光波导。由光调制器20生成的光信号Tx_out通过光波导从光IC芯片的边缘输出。另外,DC探针与焊盘1至焊盘8中的每一个接触。更具体地,经由焊盘1、焊盘3至焊盘6输入电信号,并且经由焊盘2、焊盘7和焊盘8输出电信号。注意,在光接收器10的测试中,针对每个偏振测量光灵敏度和消光比等。在光调制器20的测试中,针对每个偏振测量插入损耗和消光比等。
在从晶圆切出光IC芯片之后,采用上述测试方法测试光IC芯片。此时,光纤需要与光IC芯片上所形成的每个光波导的端面对准。为此,光器件的测试需要花费较长时间。
图2示出了光IC芯片的示例。图2中所示的光IC芯片的测试是在从晶圆切出芯片之前在晶圆上进行的。为了在晶圆上测试光IC芯片,需要将照射在晶圆表面上的光引导至光接收器10和光调制器20中的构造以及从晶圆表面获得由光调制器20生成的调制光信号的构造。在图2所示的示例中,光栅耦合器在晶圆上形成在光器件附近。
在图2所示的示例中,用于形成光栅耦合器31至光栅耦合器33的GC区域挨着用于形成光器件的器件区域设置。在测试光器件时,光信号Rx_in经由光栅耦合器31输入到光IC芯片,并通过光波导被引导至光接收器10中。连续波光LD_in经由光栅耦合器32输入到光IC芯片,并通过光波导和分离耦合器被引导至光接收器10和光调制器20中。由光调制器20生成的光信号Tx_out通过光波导被引导至GC区域中并从光栅耦合器33辐射。在这种情况下,在测试光IC芯片时,将对应光纤布置在形成于晶圆表面上的光栅耦合器31至光栅耦合器33附近。以这种方式,在从晶圆切出各光IC芯片之前,能够在晶圆上测试光IC芯片。在测试之后,从晶圆切出各光IC芯片,并且GC区域与器件区域分离。
注意,在例如美国专利No.9459177以及WO2014/112077中公开了一种光器件或光IC芯片的测试方法。
发明内容
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