[发明专利]介电陶瓷组合物、多层陶瓷电容器及其制造方法有效
申请号: | 201910706729.3 | 申请日: | 2016-10-28 |
公开(公告)号: | CN110379623B | 公开(公告)日: | 2021-10-08 |
发明(设计)人: | 尹硕晛;李丞镐;徐正旭;全松济 | 申请(专利权)人: | 三星电机株式会社 |
主分类号: | H01G4/12 | 分类号: | H01G4/12;H01G4/30;C04B35/468 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 包国菊;刘奕晴 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 陶瓷 组合 多层 电容器 及其 制造 方法 | ||
1.一种介电陶瓷组合物,包括第一主要成分的BaTiO3和第二主要成分的BaTi2O5,
其中,包含第一主要成分和第二主要成分的基体材料由(1-x)BaTiO3-xBaTi2O5来表示,且x满足0.1≤x≤0.8,其中,x表示摩尔比,
其中,介电陶瓷组合物还包括第一辅助成分,
其中,第一辅助成分包含从由锰、钒、铬、铁、镍、钴、铜和锌组成的组中选择的一种或更多种可变价受体元素的氧化物或碳酸盐,
第一辅助成分中包含的所述一种或更多种可变价受体元素的总含量为0.2at%至5.0at%。
2.如权利要求1所述的介电陶瓷组合物,所述介电陶瓷组合物还包括第二辅助成分,
其中,第二辅助成分包含从由Ba的氧化物和碳酸盐组成的组中选择的一种或更多种,
第二辅助成分的含量基于100mol的基体材料为0.2mol至10.0mol。
3.如权利要求1所述的介电陶瓷组合物,所述介电陶瓷组合物还包括第三辅助成分,
其中,第三辅助成分包含从由Si的氧化物、Si的碳酸盐和含有Si的玻璃组成的组中选择的一种或更多种,
第三辅助成分的含量基于100mol的基体材料为0.2mol至5.0mol。
4.如权利要求1所述的介电陶瓷组合物,所述介电陶瓷组合物还包括第四辅助成分,
其中,第四辅助成分包含从由Y、Dy、Ho、La、Ce、Nd、Sm、Gd和Er组成的组中选择的一种或更多种稀土元素的氧化物或碳酸盐,
第四辅助成分中包含的所述一种或更多种稀土元素的总含量为0.5at%至10.0at%。
5.如权利要求1所述的介电陶瓷组合物,所述介电陶瓷组合物还包括第五辅助成分,
其中,第五辅助成分包含从由包括Mg的固定价受体元素的氧化物和碳酸盐组成的组中选择的一种或更多种,
第五辅助成分的含量基于100mol的基体材料为0.5mol至5.0mol。
6.一种多层陶瓷电容器,包括:
陶瓷主体,包括由如权利要求1至5中任一项所述的介电陶瓷组合物制成的介电层和内电极;
外电极,设置在陶瓷主体的外部上并连接到内电极,
其中,介电层包括第一晶粒和第二晶粒,
第一晶粒为Ti/Ba的含量比小于1.5的晶粒,第二晶粒为Ti/Ba的含量比为1.5至2.5的晶粒,
第二晶粒的面积与第一晶粒和第二晶粒的总面积的比为9.5%至81.4%。
7.如权利要求6所述的多层陶瓷电容器,其中,所述内电极包含Ni。
8.如权利要求6所述的多层陶瓷电容器,其中,所述多层陶瓷电容器具有1E11 Ohm-cm或更大的室温电阻率、200℃下50V/μm或更大的高温耐受电压、150℃下小于±15%的电容温度系数、200℃下小于±22%的电容温度系数以及150或更大的室温介电常数。
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