[发明专利]反应腔室有效
申请号: | 201910706810.1 | 申请日: | 2019-08-01 |
公开(公告)号: | CN110400768B | 公开(公告)日: | 2022-08-16 |
发明(设计)人: | 邓晓军 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;C30B25/14 |
代理公司: | 北京国昊天诚知识产权代理有限公司 11315 | 代理人: | 兰天爵 |
地址: | 100176 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 反应 | ||
1.一种反应腔室,包括腔体、设置在所述腔体内的基座,其特征在于,还包括进气装置,所述进气装置包括与所述基座的承载面相垂直的出气面,所述出气面上设置有沿所述进气装置的宽度方向排布的中心出气口组、中间出气口组和边缘出气口组;其中,
所述中心出气口组、所述中间出气口组和所述边缘出气口组分别与所述基座的中心区域、中间区域和边缘区域一一对应;
所述进气装置还包括与所述中心出气口组、所述中间出气口组和所述边缘出气口组一一对应设置的三条进气管路,每条所述进气管路上均设置有流量控制装置;
每条所述进气管路和与其对应的出气口组之间还设置有至少一条进气通道。
2.根据权利要求1所述的反应腔室,其特征在于,所述中心出气口组、所述中间出气口组和所述边缘出气口组均包括一个或者多个出气口,且各组所述出气口组中的出气口的总横向宽度与所述出气口组对应的基座区域的径向宽度相等。
3.根据权利要求2所述的反应腔室,其特征在于,所述中间出气口组的总横向宽度小于等于所述中心出气口组的总横向宽度;所述边缘出气口组的总横向宽度大于等于所述中心出气口组的总横向宽度。
4.根据权利要求3所述的反应腔室,其特征在于,所述中间出气口组为两组,分别位于所述中心出气口组的两侧,且每组中间出气口组的中心与所述中心出气口组的中心的距离均等于所述基座的半径的二分之一。
5.根据权利要求1所述的反应腔室,其特征在于,所述进气管路包括中间进气管路,在所述中间进气管路上设置有调压阀。
6.根据权利要求1所述的反应腔室,其特征在于,所述进气装置还包括:中心均流板组、中间均流板组和边缘均流板组,三者分别与所述中心出气口组、所述中间出气口组和所述边缘出气口组一一对应,且每组所述均流板组上均设置有均流孔。
7.根据权利要求6所述的反应腔室,其特征在于,所述中心均流板组、中间均流板组和边缘均流板组上的所述均流孔的直径相同,所述中心均流板组上的所述均流孔的数量均大于所述中间均流板组以及所述边缘均流板组上的所述均流孔的数量。
8.根据权利要求1所述的反应腔室,其特征在于,三条所述进气管路的总流量等于预设流量值。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造