[发明专利]一种钙硼硅系高热膨胀陶瓷基板材料及其制备方法

权利要求书

1.一种钙硼硅系高热膨胀陶瓷基板材料，其特征在于，以质量百分比计，所述陶瓷基板材料的组分包括：B₂O₃：3～12wt％，SiO₂：50～70wt％，CaO：10～40wt％，Al₂O₃：1～4wt％，CuO与ZrO₂混合物：3～10wt％；其中，CuO与ZrO₂混合物为两者任意比例的混合物。

2.按权利要求1所述钙硼硅系高热膨胀陶瓷基板材料，其特征在于，所述陶瓷基板材料的抗弯强度为130～190MPa，杨氏模量为60～85GPa，热膨胀系数为10～11ppm/℃，介电常数为5～5.5@1MHz、5.4～5.8@1～10GHz，介电损耗为<8.5×10^-4@1MHz、<4×10^-3@1～10GHz。

3.按权利要求1所述钙硼硅系高热膨胀陶瓷基板材料，其特征在于，所述陶瓷基板材料的主晶相为硅灰石和石英。

4.按权利要求1所述钙硼硅系高热膨胀陶瓷基板材料的制备方法，包括以下步骤：

步骤1：依据配方计算B₂O₃、SiO₂、CaO、Al₂O₃、CuO、ZrO₂对应原材料的质量，准确称量并混合；

步骤2：将步骤1所得混合料经球磨、烘干、过筛后，得到均匀分散的粉体；

步骤3：将步骤2所得粉体装入坩埚，在电炉中于600～800℃温度下预烧1～3小时；

步骤4：将步骤3预烧料再次球磨、烘干、过筛后，得到均匀分散的粉料；

步骤5：将步骤4所得的粉料，进行造粒，压制成型，得到胚体；

步骤6：将步骤5压制成型所得胚体置于电炉，排胶后于850～950℃下烧结1～3小时，得所述钙硼硅系高热膨胀陶瓷基板材料。