[发明专利]一种面向电磁传输性能的活动引线搭焊互联点调控方法

权利要求书

1.一种面向电磁传输性能的活动引线搭焊互联点调控方法，其特征在于，包括下述步骤：

(1)实测活动引线搭焊互联点信号电性能，判断其电性能是否满足要求，若满足，则可继续使用该互联点，若不满足，则进行下一步；

(2)确定活动引线搭焊互联点的结构参数与物性参数，并确定可调控参数；

(3)根据活动引线搭焊互联点基本参数，对活动引线搭焊互联形态进行参数化表征；

(4)根据活动引线搭焊互联结构参数、物性参数及形态参数化表征，建立活动引线搭焊互联结构-电磁分析模型；

(5)根据活动引线搭焊可调控参数与电性能指标要求，构建活动引线搭焊可调控参数的正交试验项，并将参数组合代入模型提取电性能；

(6)根据正交试验分析结果，计算各参数各列各水平试验指标平均值；

(7)根据试验指标平均值，确定活动引线搭焊互联点当前工作频率下各调控参数关联强度并进行关联强度排序；

(8)根据关联强度排序，依次调控参数，测试电性能指标，若达标，则调控完成，若不达标，则调控关联强度排序下一参数，并再次判断电性能，直到活动引线搭焊互联点电性能满足要求；

所述步骤(2)中，确定微波组件中活动引线搭焊互联的结构参数包括：介质基板长度L₁、介质基板宽度W₁、介质基板厚度H₁、微带线长度L₂、微带线宽度W₂、微带线厚度H₂、接插件探针长度L₃、接插件直径D₁、接插件母座长度L₄、接插件探针直径D₂、接插件开孔长度L₅、接插件开孔直径D₃、接插件夹缝长度L₆、接插件夹缝宽度W₃、接插件与介质基板距离L₇、互联点与接插件距离L₉、接插件距离微带线距离H₃、金带与接插件探针距离L₁₂、同轴接头探针直径D₄、同轴接头玻璃介质长度L₈、同轴接头插入接插件长度L₁₀、同轴接头与介质基板距离L₁₁和同轴接头玻璃介质直径D₅；

确定物性参数包括：信号传输频率f、介质基板介电常数ε_s、介质基板损耗角正切θ_s、玻璃介质介电常数ε_g和玻璃介质损耗角正切θ_g；

据此确定的活动引线搭焊互联点调控参数为：微带线宽度W₂、接插件探针长度L₃、互联点与接插件距离L₉、金带与接插件探针距离L₁₂、同轴接头插入接插件长度L₁₀和同轴接头与介质基板距离L₁₁。

2.根据权利要求1所述的面向电磁传输性能的活动引线搭焊互联点调控方法，其特征在于，所述步骤(1)中，实测活动引线搭焊互联点的电性能包括插入损耗S21、电压驻波比VSWR和回波损耗S11。