[发明专利]一种混合PiN结肖特基二极管及制造方法

权利要求书

1.一种混合PiN结肖特基二极管，其特征在于，包括：等离子扩散层和半导体区域；

所述半导体区域设置在外延层表面的下方；

所述半导体区域包括：多个元胞，每一个元胞包括：一个第一区域和多个第二区域；所述第一区域与所述第二区域的在所述外延层中的深度相同，所述第一区域的宽度大于所述第二区域的宽度；

所述等离子扩散层设置在所述外延层表面的下方，且所述等离子扩散层包括多个等离子扩散通道，每一个所述等离子扩散通道连通两个所述元胞中的所述第一区域，并穿过所述元胞中各所述第二区域；所述第一区域、多个所述第二区域、所述等离子扩散层与所述外延层构成所述混合PiN结肖特基二极管的PN结；

其中，所述第一区域为正六边形；

所述第二区域为环形正六边形，且所述第二区域的六条边分别与对应的所述第一区域的相应的边平行。

2.根据权利要求1所述的二极管，其特征在于，

以各所述第一区域为中心，均匀环绕多个第一区域，所述环绕着的多个第一区域的中心点构成正六边形，在所述构成的正六边形中，各所述第一区域的等离子扩散通道连通相邻的其它第一区域。

3.根据权利要求1所述的二极管，其特征在于，

以各所述第一区域为中心，均匀环绕多个第一区域，所述环绕着的多个第一区域的中心点构成正六边形，在所述构成的正六边形中，各所述第一区域的等离子扩散通道连通除所述第一区域的对角之外的非相邻的其它第一区域。

4.根据权利要求1所述的二极管，其特征在于，

所述多个元胞中各元胞的第一区域的大小不同，所述第一区域连接的所述等离子扩散通道的数量与所述第一区域的大小正相关。

5.根据权利要求1所述的二极管，其特征在于，

所述等离子扩散通道的宽度与所述第二区域相同，所述等离子扩散通道的深度与所述第一区域和所述第二区域相同。

6.根据权利要求1所述的二极管，其特征在于，

所述等离子扩散通道连接距离在预设取值范围内的两个所述第一区域。

7.根据权利要求1所述的二极管，其特征在于，

所述等离子扩散通道的连通方式与各所述第一区域的大小相关，具体为：

所述多个元胞中的各个第一区域的大小不完全相同，所述等离子扩散通道优先连接大小不同的两个P+区。

8.一种混合PiN结肖特基二极管制造方法，其特征在于，包括：

形成衬底；

在所述衬底上形成由碳化硅制成的外延层；所述外延层的掺杂浓度低于所述衬底的掺杂浓度；

在所述外延层上形成多个第一区域、多个等离子扩散通道和多个第二区域，其中，所述等离子扩散通道连通两个元胞中的所述第一区域，并穿过所述元胞中各所述第二区域；每一个所述元胞包括：一个所述第一区域和多个所述第二区域；

分别在各所述第一区域、各所述第二区域和各所述等离子扩散通道的上方形成欧姆接触金属层；

在所述外延层背离所述衬底一侧的表面形成肖特基接触金属层；

在所述衬底背离所述外延层一侧的表面形成欧姆接触金属层；

其中，所述第一区域为正六边形；

所述第二区域为环形正六边形，且所述第二区域的六条边分别与对应的所述第一区域的相应的边平行。