[发明专利]一种异构集成射频放大器结构有效
| 申请号： | 201910708220.2 | 申请日： | 2019-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN110620556B | 公开（公告）日： | 2023-06-02 |
| 发明（设计）人： | 常虎东;孙兵;杨枫;丁武昌;刘洪刚;金智 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H03F1/26 | 分类号： | H03F1/26;H03F3/16;H03F3/24 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 刘广达 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 集成 射频放大器 结构 | ||
1.一种异构集成射频放大器结构，其特征在于，该放大器结构包括：
第一化合物半导体器件、第二化合物半导体器件、第三化合物半导体器件和第四化合物半导体器件；
第一硅基PMOS器件和第二硅基PMOS器件；
所述第一硅基PMOS器件的源极连接第三化合物半导体器件的集电极，所述第二硅基PMOS器件的源极连接第四化合物半导体器件的集电极；
所述第一硅基PMOS器件的源极和第三化合物半导体器件的集电极连接电压输出端的第一端，所述第二硅基PMOS器件的源极和第四化合物半导体器件的集电极连接电压输出端的第二端；
所述第一化合物半导体器件的基极连接电压输入端的第一端，所述第二化合物半导体器件的基极连接电压输入端的第二端；所述第三化合物半导体器件的基极和第四化合物半导体器件的基极连接第二参考电压源。
2.根据权利要求1所述的一种异构集成射频放大器结构，其特征在于，
所述第一硅基PMOS器件的漏极和第二硅基PMOS器件的漏极连接直流电源VDD。
3.根据权利要求2所述的一种异构集成射频放大器结构，其特征在于，
所述第一硅基PMOS器件的栅极和第二硅基PMOS器件的栅极连接第一参考电压源。
4.根据权利要求3所述的一种异构集成射频放大器结构，其特征在于，
所述第一参考电压源与第二参考电压源的取值范围是1到3V。
5.根据权利要求2所述的一种异构集成射频放大器结构，其特征在于，
所述直流电源VDD为5V。
6.根据权利要求1-3任意一项所述的一种异构集成射频放大器结构，其特征在于，
所述第一化合物半导体器件的发射极和第二化合物半导体器件的发射极接地。
7.根据权利要求1所述的一种异构集成射频放大器结构，其特征在于，
所述第一化合物半导体器件和第二化合物半导体器件选自以下中的一种或多种：GaAs基HEMT器件、GaN基HEMT器件、InP基HEMT器件、GaAs基HBT器件或者InP基HBT器件。
8.根据权利要求1所述的一种异构集成射频放大器结构，其特征在于，
所述第三化合物半导体器件和第四化合物半导体器件选自以下中的一种或多种：GaAs基HEMT器件、GaN基HEMT器件、InP基HEMT器件、GaAs基HBT器件或者InP基HBT器件。
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