[发明专利]一种肖特基二极管及其制备方法

说明书

本申请公开了一种肖特基二极管及其制备方法，用以解决PN结设置不合理的问题。肖特基二极管包括衬底、外延层以及金属层。外延层形成于衬底上，为第一导电类型的区域；外延层背离衬底的一侧设有若干第二导电类型的区域，第二导电类型的区域与第一导电类型的区域之间形成PN结；其中，第二导电类型的区域包括若干第一区域和第二区域，第一区域沿外延层表面的宽度大于第二区域的宽度，每两个相邻的第一区域之间设有若干第二区域，第一区域按照第一预设间隔排布，第二区域按照第二预设间隔排布；金属层形成于外延层背离衬底的一侧，外延层的表面除第二导电类型的区域之外的区域，与金属层形成肖特基结。

技术领域

本申请涉及电子技术领域，尤其涉及一种肖特基二极管及其制备方法。

背景技术

在电子电路中，二极管的应用范围较为广泛。在二极管处于导通状态时，可能存在正常电流工作情况，以及偶发浪涌电流的异常工作情况。在浪涌电流的异常工作情况下，二极管可能发生瞬时能量过冲和芯片温度升高的现象，从而导致二极管失效等情况。

目前，通过二极管中的P型半导体与N型半导体形成的PN结，使PN结在二极管受到浪涌电流冲击时开启，从而使二极管具有更低的电阻率与更高的电流导通能力，以起到对二极管的保护作用。

但是，在肖特基二极管中，不合理的PN结的设置会过分占用原有的肖特基结的面积，从而影响二极管正常电流工作情况下的导通压降，影响二极管的导通性能。

发明内容

本申请实施例提供一种肖特基二极管及其制备方法，用以提供一种PN结设置合理的肖特基二极管。

本申请实施例提供的一种肖特基二极管，包括衬底、外延层和金属层；

所述外延层形成于所述衬底上，且所述外延层为第一导电类型的区域；

所述外延层背离所述衬底的一侧设有若干第二导电类型的区域，所述第二导电类型的区域与所述第一导电类型的区域之间形成PN结；其中，所述第二导电类型区域包括若干第一区域和第二区域，所述第一区域沿所述外延层表面的宽度大于所述第二区域的宽度，每两个相邻的第一区域之间设有若干第二区域，所述第一区域按照第一预设间隔排布，所述第二区域按照第二预设间隔排布；

所述金属层形成于所述外延层背离所述衬底的一侧，所述外延层的表面除所述第二导电类型的区域之外的区域，与所述金属层形成肖特基结。

本申请实施例提供的一种肖特基二极管制备方法，包括：

形成衬底；

在所述衬底上形成第一导电类型的外延层；

在所述外延层背离所述衬底的一侧形成若干第二导电类型的区域，所述第二导电类型的区域与所述第一导电类型区域之间形成PN结；其中，所述第二导电类型区域包括若干第一区域和第二区域，所述第一区域沿所述外延层表面的宽度大于所述第二区域的宽度，每两个相邻的第一区域之间设有若干第二区域，所述第一区域按照第一预设间隔排布，所述第二区域按照第二预设间隔排布；

在所述外延层背离所述衬底的一侧形成肖特基接触金属。

本申请实施例提出的一种肖特基二极管及其制备方法能够带来以下有益效果：

1、通过合理设置第一区域的宽度以及第一预设间隔，能够在不过多占用肖特基结的面积的情况下，尽可能增加PN结的宽度，降低PN结的开启电压，降低浪涌电流情况下的功率损耗和二极管结温的升高，从而提高二极管的抗浪涌电流能力；同时，能够保持二极管的良好的正常电流工作情况下的导通性能。

2、通过合理设置第二区域的宽度以及第二预设间隔，能够减小二极管的反向漏电流大小，提升二极管的性能，优化二极管的结构，同时不影响二极管的正常导通压降，保持良好的正向导通性能。