[发明专利]蚀刻方法及其金属制品

权利要求书

1.一种蚀刻方法，用于在金属基材形成多孔，该多孔包括第一孔及第二孔，包括：

藉由第一蚀刻液蚀刻该金属基材，以形成第一孔；及

藉由第二蚀刻液蚀刻该金属基材，以形成第二孔；

其中该第二孔的深度大于该第一孔的深度。

2.如权利要求1所述的蚀刻方法，其中该第一蚀刻液包含第一金属离子，该第二蚀刻液包含第二金属离子，该第一孔内含有由该第一金属离子形成的金属单质，所述藉由第二蚀刻液蚀刻该金属基材，以形成第二孔的步骤包含：

藉由该第二金属离子，氧化该第一孔的金属单质，以形成该第二孔。

3.如权利要求1所述的蚀刻方法，其中该金属基材包含第一金属，该第二蚀刻液包含第二金属离子，所述藉由第二蚀刻液蚀刻该金属基材，以形成第二孔的步骤包含：藉由该第二金属离子，氧化该第一金属，以形成第二孔。

4.如权利要求2所述的蚀刻方法，其中该第一金属离子包括铜离子和银离子的至少一种。

5.如权利要求2所述的蚀刻方法，其中该第一蚀刻液包括浓度为13g/L至15g/L的第一蚀刻剂，该第一蚀刻剂为包含第一金属化合物和酸的混合物，其中该第一金属化合物包含该第一金属离子；

该第一金属化合物和该酸的质量分数比例为7～9:0.5～1.5。

6.如权利要求5所述的蚀刻方法，其中该第一金属化合物包括氯化铜、氯化银、氟化铜、氟化银、溴化铜和溴化银的至少一种。

7.如权利要求2所述的蚀刻方法，其中该第二金属离子为包括铁离子和银离子的至少一种。

8.如权利要求2所述的蚀刻方法，其中该第二蚀刻液包括浓度为60g/L至80g/L的第二蚀刻剂，该第二蚀刻剂为包含第二金属化合物和表面处理剂的混合物，该第二金属化合物包含该第二金属离子；

该第二金属化合物和该表面处理剂的质量分数比例为95～98：2～5。

9.如权利要求8所述的蚀刻方法，其中该第二金属化合物包括氯化铁、氯化银、氟化铁、氟化银、溴化铁和溴化银的至少一种；

该表面处理剂包括乙二酸和柠檬酸钠，其中乙二酸和柠檬酸钠的质量分数比例为1:1。

10.如权利要求1所述的蚀刻方法，其中该金属基材包括不锈钢、钛和钛合金的至少一种。

11.如权利要求1所述的蚀刻方法，其中所述藉由第一蚀刻液蚀刻该金属基材的步骤，包括以一预定温度对该金属基材进行预定时长的蚀刻，以形成第一孔，该预定温度为70℃～90℃，该预定时长小于250秒。

12.如权利要求1所述的蚀刻方法，其中所述藉由第二蚀刻液蚀刻该金属基材的步骤，包括以一预定温度对该金属基材进行预定时长的蚀刻，以形成第二孔，该预定温度为65℃～85℃，该预定时长小于100秒。

13.如权利要求1所述的蚀刻方法，其中该第一孔的深度小于100μm，该第二孔的深度为100μm～200μm。

14.如权利要求1所述的蚀刻方法，其中该第一孔的密度为小于300个每平方厘米，该第二孔的密度为300～500个每平方厘米。

15.一种金属制品，该金属制品由金属基材制得，该金属制品具有多孔，该多孔包括第一孔及第二孔，其中该金属制品经由如权利要求1～14任意一项所述的蚀刻方法制得。