[发明专利]一种低晶点聚酯薄膜的制备方法

说明书

本发明涉及一种低晶点聚酯薄膜的制备方法，该流程主要包括以下几个步骤：(1)将使用新型钛系催化剂制备的大有光聚酯切片送入三层共挤双向拉伸设备，在260～290℃挤出熔融；(2)熔体经过35℃以下骤冷生成PET片材；(3)铸成的PET片材经过65～120℃预热纵向拉伸和30℃以下温度冷却；(4)片材再通过90～115℃预热横向拉伸和160～250℃定型结晶处理；(5)经过牵引除去废边，检测厚度，检测品质，再进行收卷和卷取。本发明结构简单，采用新型钛系催化剂制备的聚酯切片，取代传统锑系催化剂制备的聚酯切片，通过平面双向拉伸法制得晶点更少的聚酯薄膜，改善且提高了制备聚酯薄膜的解析度，扩大了聚酯薄膜在市场上的应用领域，有效的提高了聚酯薄膜的生产经济效益。

技术领域

本发明属于聚酯薄膜生产技术领域，具体涉及一种低晶点聚酯薄膜的制备方法。

背景技术

在缩聚反应中，聚合物的分子量高于周围同种聚合物的分子量而产生的过度聚合物，称为“晶点”，晶点产生的原因之一，就是原料中残留催化剂，在聚酯薄膜工业中，锑系催化剂因具有活性较高、副反应较少、价格较低、所得产品质量高等特点，得到了广泛应用，其中较为普遍的催化剂有三氧化二锑、醋酸锑和乙二醇锑，但是锑系催化剂容易在聚合过程中受到聚合体系中还原性物质的作用生成单质锑，形成微小晶点，影响制备聚酯薄膜的解析度，限制了其高端的应用，不利于聚酯薄膜在市场上广泛推广。

发明内容

本发明旨在解决上述缺陷，提供了一种低晶点聚酯薄膜的制备方法。

为了克服背景技术中存在的缺陷，本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：一种低晶点聚酯薄膜的制备方法，该流程主要包括以下几个步骤：(1)将使用新型钛系催化剂制备的大有光聚酯切片送入三层共挤双向拉伸设备，在260～290℃挤出熔融；(2)熔体经过35℃以下骤冷生成PET片材；(3)铸成的PET片材经过65～120℃预热纵向拉伸和30℃以下温度冷却；(4)片材再通过90～115℃预热横向拉伸和160～250℃定型结晶处理；(5)经过牵引除去废边，检测厚度，检测品质，再进行收卷和卷取。

本发明的有益效果是：使用钛催化剂制备的聚酯薄膜，其晶点大小约为锑系催化剂制备的聚酯薄膜的33%，数量为锑系的30%，存在显著改善和提高，有利于聚酯薄膜在高端市场中的应用，有效的扩大了聚酯薄膜在市场上的应用领域，有效的提高了聚酯薄膜的生产经济效益。

具体实施方式

下面结合实施例进行详细阐述，以使本发明的优点和特征能更易于被本领域技术人员理解，从而对本发明的保护范围做出更为清楚明确的界定。

新型钛系催化剂制备的大有光聚酯切片重量为1吨；

步骤(1)：将1吨新型钛系催化剂制备的大有光聚酯切片送入三层共挤双向拉伸设备，在260～290℃挤出熔融；

步骤(2)：熔体经过35℃以下骤冷生成PET片材；

步骤(3)：铸成的PET片材经过65～120℃预热纵向拉伸和30℃以下温度冷却；

步骤(4)片材再通过90～115℃预热横向拉伸和160～250℃定型结晶处理；

步骤(5)经过牵引除去废边，检测厚度，检测品质，再进行收卷和卷取。

本发明引入一种新型的钛系催化剂制备的聚酯切片，通过双向拉伸工艺上制备一种低晶点的BOPET。由于钛系催化剂具有的催化活性高、金属残留少的特性，能有效避免传统锑系催化剂晶点多的问题。

以上所述仅为本发明的实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。