[发明专利]一种铌酸锂周期光栅结构的制备方法

权利要求书

1.一种铌酸锂周期光栅结构的制备方法，其特征在于，该制备方法包括以下流程：

S1.样品准备。选取合适尺寸的Y36°和Y128°切向的同成份铌酸锂晶片作为基底，依次用酒精和丙酮进行清洗，清洗干净后放入100℃恒温箱中烘烤10min，烘烤后取出冷却至室温；

S2.质子交换。将洗净的样品晶片放入质子交换炉中进行预热，待热耦温度达到225℃，将晶片放入反应釜中进行质子交换3小时。其中反应釜中放置苯甲酸(适量，保证晶片完全没入苯甲酸中)，同晶片一起放入密闭交换炉；

S3.湿法刻蚀。将交换后的晶片清洗干净，放入HF-HN03混合刻蚀液中10h(小时)。其中刻蚀液为体积配比HF∶HN03＝1∶3，并加热放入恒温装置，设定温度80℃。经过10小时，得到周期光栅结构。

2.根据权利要求1所述的一种铌酸锂周期光栅结构的制备方法，其特征在于：制备方法更简单、更易于操作，只需铌酸锂作为基底，无需掩模以及复杂的刻蚀设备。

3.根据权利要求1所述的一种铌酸锂周期光栅结构的制备方法，其特征在于：降低制作成本，提高了制作成品率，为光栅制作的研究以及结构设计提供了新途径，有利于推广应用。

4.根据权利要求1所述的一种铌酸锂周期光栅结构的制备方法，其特征在于：基底采用Y36°和Y128°切向的同成份铌酸锂晶片，这些切向的晶片多用于制作声表面波器件，制备出的光栅结构用于这些器件中，大大增加了相关声光器件的多样性。