[发明专利]一种用于制备石墨烯的反应充分均匀的CVD装置

权利要求书

1.一种用于制备石墨烯的反应充分均匀的CVD装置，其特征在于，包括底座(1)、反应室(2)、抽气泵(3)、控制器(36)、供气机构、反应机构和若干支脚(4)，所述支脚(4)周向均匀分布在反应室(2)的外周，所述反应室(2)通过支脚(4)固定在底座(1)的上方，所述控制器(36)固定在其中一个支脚(4)上，所述控制器(36)内设有PLC，所述供气机构位于底座(1)的上方，所述反应机构设置在反应室(2)内，所述抽气泵(3)固定在抽气室的上方，所述抽气泵(3)与PLC电连接；

所述反应机构包括升降组件、升降台(5)、紧固组件、基片(6)和电磁线圈(7)，所述升降组件、升降台(5)、紧固组件和基片(6)从上而下依次设置，所述基片(6)的形状为管状，所述电磁铁位于基片(6)的内侧，所述升降组件与升降台(5)传动连接，所述紧固组件包括第一电机(8)、转盘(9)和若干紧固单元，所述第一电机(8)固定在升降台(5)的下方，所述第一电机(8)与转盘(9)传动连接，所述紧固单元周向均匀分布在转盘(9)的下方，所述紧固单元包括驱动杆(10)、紧固杆(11)、夹块(12)和固定环(13)，所述驱动杆(10)的一端与转盘(9)铰接，所述驱动杆(10)的另一端与紧固杆(11)的一端铰接，所述紧固杆(11)的另一端与夹块(12)固定连接，所述固定环(13)固定在升降台(5)的下方，所述固定环(13)套设在紧固杆(11)，所述夹块(12)抵靠在基片(6)的内壁上，所述电磁铁固定在转盘(9)的下方，所述第一电机(8)和电磁铁均与PLC电连接；

所述供气机构包括气源(14)、供气管(15)、输气管(16)、转动组件、横管(17)、密封盖(18)、密封组件、两个竖管(19)和两个喷头(20)，所述气源(14)固定在底座(1)的上方，所述供气管(15)的形状为L形，所述供气管(15)的一端与气源(14)连通，所述输气管(16)的底端的外周与供气管(15)的另一端的内壁密封连接，所述输气管(16)的顶端穿过密封盖(18)与横管(17)的中心处连通，两个喷头(20)分别通过两个竖管(19)与横管(17)的两端，所述转动组件与输气管(16)传动连接，所述密封组件设置在底座(1)的上方，所述密封组件与密封板传动连接。

2.如权利要求1所述的用于制备石墨烯的反应充分均匀的CVD装置，其特征在于，所述升降组件包括横杆(21)、第二电机(22)和两个升降单元，所述横杆(21)的两端固定在反应室(2)的内壁上，所述第二电机(22)固定在横杆(21)的下方，所述第二电机(22)位于两个升降单元之间，所述第二电机(22)与PLC电连接，所述升降单元包括轴承(23)、丝杆(24)、移动块(25)和支杆(26)，所述轴承(23)固定在反应室(2)的内壁上，所述第二电机(22)与丝杆(24)的一端传动连接，所述丝杆(24)的另一端设置在轴承(23)内，所述移动块(25)套设在丝杆(24)上，所述移动块(25)的与丝杆(24)的连接处设有与丝杆(24)匹配的螺纹，所述移动块(25)通过支杆(26)与升降台(5)铰接。

3.如权利要求2所述的用于制备石墨烯的反应充分均匀的CVD装置，其特征在于，所述移动块(25)套设在横杆(21)上。

4.如权利要求1所述的用于制备石墨烯的反应充分均匀的CVD装置，其特征在于，所述夹块(12)内设有压力传感器(37)，所述压力传感器(37)与PLC电连接。

5.如权利要求1所述的用于制备石墨烯的反应充分均匀的CVD装置，其特征在于，所述电磁线圈(7)的底端设有若干支撑单元，所述支撑单元包括限位架(27)和支撑杆(28)，所述支撑杆(28)与电磁线圈(7)的外周铰接，所述限位架(27)的形状为U形，所述限位架(27)的一端固定在电磁线圈(7)的下方，所述支撑杆(28)抵靠在限位架(27)的另一端的上方，所述基片(6)抵靠在支撑杆(28)的上方。