[发明专利]基板处理装置和基板处理方法在审
申请号: | 201910711315.X | 申请日: | 2019-08-02 |
公开(公告)号: | CN110797282A | 公开(公告)日: | 2020-02-14 |
发明(设计)人: | 上村史洋;大塚贵久;小宫洋司;绪方信博 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/02 |
代理公司: | 11277 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 处理液 喷嘴槽 喷嘴 基板处理装置 喷嘴喷 前端部 收容室 基板处理 循环线路 对基板 喷出口 待机 基板 废弃 中断 返回 外部 流动 | ||
1.一种基板处理装置,具有:
处理室,在该处理室中利用处理液来对基板进行处理;
喷嘴,其在前端部具有所述处理液的喷出口;
喷嘴槽,在该喷嘴槽的内部形成有收容室,该收容室用于在所述处理液向所述基板的供给中断的待机时收容所述喷嘴的所述前端部;
循环线路,其用于使从所述喷嘴喷出至所述喷嘴槽的所述处理液返回所述喷嘴;以及
第一限制部,在使从所述喷嘴喷出至所述喷嘴槽的所述处理液向所述喷嘴循环时,该第一限制部限制所述喷嘴槽的外部与存在于所述喷嘴槽的内部的所述处理液之间的气体的流动。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
所述第一限制部具有置换部,该置换部用于对形成于所述喷嘴槽与被收容在所述喷嘴槽的所述收容室中的所述喷嘴之间的间隙的气氛进行置换。
3.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
所述第一限制部具有密闭部,所述密闭部将形成于所述喷嘴槽与被收容在所述喷嘴槽的所述收容室中的所述喷嘴之间的间隙封堵。
4.根据权利要求3所述的基板处理装置,其特征在于,
所述密闭部具有膨胀密封件,通过向该膨胀密封件的内部供给流体,该膨胀密封件膨胀而将所述间隙封堵。
5.根据权利要求3或4所述的基板处理装置,其特征在于,
所述密闭部具有弹性密封件,所述弹性密封件被所述喷嘴槽和所述喷嘴压缩而将所述间隙封堵。
6.根据权利要求3或4所述的基板处理装置,其特征在于,
所述密闭部具有密封件形成部,所述密封件形成部用于形成将所述间隙封堵的液体的密封件。
7.根据权利要求1至4中的任一项所述的基板处理装置,其特征在于,还具有:
外槽,其配置在所述喷嘴槽的外部,在所述外槽的内部形成有将所述喷嘴槽的用于使所述喷嘴插入和拔出的出入口包围的中间室;以及
第二限制部,其限制所述外槽的外部与所述喷嘴槽的内部之间的气体的流动。
8.根据权利要求7所述的基板处理装置,其特征在于,
所述第二限制部具有可动盖,该可动盖以能够使所述外槽的用于使所述喷嘴插入和拔出的出入口敞开的方式封闭该出入口。
9.根据权利要求7所述的基板处理装置,其特征在于,
所述第二限制部具有吸引喷嘴,所述吸引喷嘴用于将气体从所述中间室排出至所述处理室的外部。
10.根据权利要求9所述的基板处理装置,其特征在于,
所述第二限制部还具有吹扫喷嘴,所述吹扫喷嘴用于将吹扫气体从所述处理室的外部供给至所述中间室。
11.一种基板处理方法,包括以下工序:
在处理室中,从喷嘴的前端部的喷出口向基板供给处理液,由此对所述基板进行处理;
在所述处理液向所述基板的供给中断的待机时,使从所述喷嘴喷出至喷嘴槽的所述处理液向所述喷嘴循环,该喷嘴槽形成有用于收容所述喷嘴的所述前端部的收容室;以及
在使从所述喷嘴喷出至所述喷嘴槽的所述处理液向所述喷嘴循环时,限制所述喷嘴槽的外部与存在于所述喷嘴槽的内部的所述处理液之间的气体的流动。
12.根据权利要求11所述的基板处理方法,其特征在于,
限制所述喷嘴槽的外部与存在于所述喷嘴槽的内部的所述处理液之间的气体的流动的工序包括以下工序:对形成于所述喷嘴槽与被收容在所述喷嘴槽的所述收容室中的所述喷嘴之间的间隙的气氛进行置换。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东京毅力科创株式会社,未经东京毅力科创株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910711315.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造