[发明专利]具有高电源抑制比的信号放大电路及其中的驱动电路在审
申请号: | 201910711452.3 | 申请日: | 2019-08-02 |
公开(公告)号: | CN112311332A | 公开(公告)日: | 2021-02-02 |
发明(设计)人: | 胡敏弘 | 申请(专利权)人: | 立锜科技股份有限公司 |
主分类号: | H03F1/26 | 分类号: | H03F1/26;H03F1/32;H03F3/45 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 李兰;孙志湧 |
地址: | 中国台湾新*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 电源 抑制 信号 放大 电路 及其 中的 驱动 | ||
1.一种具有高电源抑制比的信号放大电路,包含:
一前级放大电路,用以于一驱动控制节点产生一驱动信号;以及
一驱动电路,耦接于该前级放大电路,用以转换一输入电源而产生一输出电源,该驱动电路包括:
一驱动晶体管,具有第一端、第二端以及控制端,其中该驱动晶体管的第一端耦接于该输入电源,该驱动晶体管的第二端耦接于该输出电源,该驱动晶体管的控制端耦接该驱动信号,其中该驱动晶体管的控制端与该驱动晶体管的第一端的电压差决定该驱动晶体管的导通程度,以转换该输入电源而产生该输出电源;以及
一电源抑制电路,用以根据该输入电源而于该驱动控制节点产生一电源抑制信号,由此抑制该输入电源的一电源噪声的交流成分,以提高电源抑制比,其中该电源抑制信号具有交流性质;该电源抑制电路包括:
一噪声选择电路,用以侦测判断该驱动晶体管是否操作于第一操作区域,当该驱动晶体管操作于该第一操作区域时,根据该驱动晶体管的第一端与第二端的电压差而感测该电源噪声的交流成分以产生一操作噪声信号;
其中该电源抑制电路根据该操作噪声信号而于该驱动控制节点产生该电源抑制信号;
其中于该第一操作区域中,该驱动晶体管的输出阻抗小于一预设的阻抗阈值。
2.如权利要求1所述的具有高电源抑制比的信号放大电路,其中该电源抑制电路还包括至少一单向控制电路,其中各单向控制电路具有输入端以及输出端;该至少一单向控制电路包括第一单向控制电路,该第一单向控制电路的输入端耦接于该噪声选择电路,该第一单向控制电路的输出端耦接于该驱动控制节点,该第一单向控制电路用以接收该操作噪声信号的交流成分而于该驱动控制节点产生该电源抑制信号,且单向地将该电源抑制信号注入于该驱动控制节点。
3.如权利要求2所述的具有高电源抑制比的信号放大电路,其中该至少一单向控制电路还包括第二单向控制电路,该第二单向控制电路的输入端电连接于该输入电源,该第二单向控制电路的输出端耦接于该驱动控制节点,该第二单向控制电路用以接收该电源噪声的交流成分而产生该电源抑制信号,且单向地将该电源抑制信号注入于该驱动控制节点。
4.如权利要求3所述的具有高电源抑制比的信号放大电路,其中该前级放大电路包括第一增益级电路以及第二增益级电路,其中该第二增益级电路用以根据该第一增益级电路的输出信号而产生该驱动信号;
其中该至少一单向控制电路还包括第三单向控制电路,该第三单向控制电路的输入端电连接于该第一增益级电路的输出信号,该第三单向控制电路的输出端耦接于该驱动控制节点,该第三单向控制电路用以接收该第一增益级电路的输出信号的交流成分而产生一前馈补偿信号,且单向地将该前馈补偿信号注入于该驱动控制节点,由此对该信号放大电路进行信号补偿。
5.如权利要求1所述的具有高电源抑制比的信号放大电路,其中该噪声选择电路包括:
一感测晶体管,具有第一端、第二端以及控制端,其中该感测晶体管与该驱动晶体管为同型晶体管,该感测晶体管的第一端耦接于该输入电源,该感测晶体管的控制端接收该驱动信号;
一对照晶体管,具有第一端、第二端以及控制端,其中该对照晶体管与该驱动晶体管为同型晶体管,该对照晶体管的第一端耦接于该输入电源,该对照晶体管的控制端接收该驱动信号;
第一电流控制电路,用以根据该驱动晶体管的第二端的电压而调节该感测晶体管的第二端的电压,使得该感测晶体管与该驱动晶体管同时操作于第一操作区域中,或同时操作于第二操作区域中,由此使得该感测晶体管的导通电流正比于该驱动晶体管的导通电流;
第二电流控制电路,用以根据一参考电压而调节该对照晶体管的第二端的电压,使得该对照晶体管操作于该第二操作区域中,其中,当该驱动晶体管操作于该第二操作区域时,该驱动晶体管的输出阻抗大于该预设的阻抗阈值;以及
一差分电流放大电路,用以根据该感测晶体管的导通电流与该对照晶体管的导通电流的差值而产生该操作噪声信号。
6.如权利要求5所述的具有高电源抑制比的信号放大电路,其中该驱动晶体管为一金氧半晶体管,且该第一操作区域对应于线性区,该第二操作区域对应于饱和区。
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