[发明专利]氩离子切割装置

说明书

本发明提供一种氩离子切割装置，涉及样品表面处理技术。氩离子切割装置，包括氩离子源、样品台、离子束挡板、底座和驱动装置；离子束挡板位于氩离子源与样品台之间，且离子束挡板遮蔽部分氩离子源射向样品的氩离子束；样品台和离子束挡板固定在底座上；驱动装置与底座连接以带动底座移动、转动。本发明的氩离子切割装置通过移动、转动底座确保增大样品切割面的宽度的同时，防止产生离子划痕。

技术领域

本发明涉及样品表面处理技术，尤其涉及一种氩离子切割装置。

背景技术

氩离子切割是一种表面处理方法，广泛地应用于表面分析测试前期的样品表面处理，为表面分析测试提供具有平整表面的样品，平整的样品表面有利于观察、分析，从而提高表面分析测试的准确性；其中，表面分析测试包括且不限于光镜、扫描电镜和离子探针等分析测试。具体地，氩离子切割首先应用离子源将氩气电离生成氩离子，再对氩离子进行加速处理，接着使用加速后的氩离子轰击样品表面进行切割，从而去除样品表面的损伤层，以获得具有平整表面的样品。

现有的氩离子切割装置，包括氩离子源、样品台和离子束挡板，其中，氩离子源产生用于切割的氩离子束；样品台用于固定样品；离子束挡板用于遮蔽部分氩离子束，使得氩离子束切割后形成的样品切割面为平面。样品通过双面胶固定在样品台的承载面上，样品台的承载面为样品台朝向氩离子源的侧面。离子束挡板位于样品台承载面的前方与样品相接触，用于遮盖样品，使得样品被遮盖部分不被氩离子束切割。样品略高出离子束挡板的部分为样品的被切割部，样品的被切割部与氩离子相接触的表面为离子轰击面。氩离子束不断轰击样品的离子轰击面，使得位于离子轰击面的样品不断被移除，继而离子轰击面从样品的侧面不断陷入，直至样品的顶面形成平整的样品切割面。

然而，现有的氩离子切割装置的样品台位置固定，使得样品不能移动，造成氩离子束的过度集中。氩离子束的过度集中导致样品切割面的宽度窄、面积小。由于后续表面分析测试需在样品切割面上取点进行观察分析，样品切割面的面积小，将导致取点不够分散，从而缺乏代表性，无法代表样品的整体状况，影响后续表面分析测试的可信度和准确性。

发明内容

针对现有技术的上述缺陷，本发明的目的在于提供一种氩离子切割装置，以克服现有技术的一些不足。

本发明提供一种氩离子切割装置，包括氩离子源、样品台、离子束挡板、底座和驱动装置；所述样品台朝向所述氩离子源的侧面为承载面，样品固定在所述承载面上；所述离子束挡板位于所述氩离子源与所述样品台之间，且所述离子束挡板遮蔽部分所述氩离子源射向所述样品的氩离子束；所述样品台和所述离子束挡板固定在所述底座上；所述驱动装置与所述底座连接以带动所述底座移动。

如上所述的氩离子切割装置，可选地，所述驱动装置包括滑轨、滑块和第一驱动件；所述滑块可滑动地设置在所述滑轨上，所述第一驱动件的输出端与所述滑块相连，所述滑块还与所述底座固定连接。

如上所述的氩离子切割装置，可选地，所述第一驱动件包括平移电机。

如上所述的氩离子切割装置，可选地，还包括支架，所述支架与所述滑块和所述底座可拆卸地连接，所述滑块通过所述支架与所述底座固定连接。

如上所述的氩离子切割装置，可选地，所述平移电机带动所述底座在所述样品的切割面的预设宽度内匀速移动。

如上所述的氩离子切割装置，可选地，所述驱动装置还包括第二驱动件，所述第二驱动件为旋转电机，所述旋转电机与所述底座固定连接，用于带动所述底座转动。

如上所述的氩离子切割装置，可选地，所述底座的底部设置有卡合结构，所述旋转电机的连接轴的一端安装有接头，所述旋转电机的所述接头与所述底座的所述卡合结构可拆卸地连接。

如上所述的氩离子切割装置，可选地，所述旋转电机带动所述底座匀速转动。