[发明专利]产生错误校正电路的方法在审
| 申请号： | 201910712119.4 | 申请日： | 2019-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN110941505A | 公开（公告）日： | 2020-03-31 |
| 发明（设计）人： | 吕士濂 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G06F11/10 | 分类号： | G06F11/10;G11C29/42 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 龚诗靖 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 产生 错误 校正 电路 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种产生用于校正从存储器读取的码字中的错误的错误校正电路的方法，其包含：
建构产生矩阵(G矩阵)；将所述G矩阵变换成系统形式，其中所述经变换G矩阵由同位检查矩阵(P矩阵)及检查矩阵(H矩阵)构成；
根据行重量对所述P矩阵的行进行排序；
鉴于校正强度及数据位数目而确定待截断的所述P矩阵中的行的数目；
通过截断所述P矩阵的具有第一行重量的所述经排序行且保持所述P矩阵的具有第二行重量的所述经排序行而产生截断P矩阵；以及
根据所述截断P矩阵形成所述错误校正电路以校正所述码字的所述错误；
其中所述第一行重量大于所述第二行重量。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910712119.4/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
