[发明专利]一种芯片内无片外电容的LDO调节电路

权利要求书

1.一种芯片内无片外电容的LDO调节电路，其特征在于，包括依次连接的第一电路(10)、第二电路(20)以及第三电路(30)；

所述第一电路(10)为基准电压产生电路，用于产生基准电压(Vref1)；所述第二电路(20)为无外驱动电流的LDO电压电路，用于根据所述第一电路(10)的基准电压(Vref1)产生所需的输出调节电压(Vref2)；

所述第三电路(30)为具有负载动态检测的自适应电压跟随放大电路，所述第三电路(30)包括误差放大器电路(31)、第一比例电流镜电路(32)、第二比例电流镜电路(33)、欠冲检测单元(34)、电流偏置电路(35)以及片内负载电容(C0)；所述电流偏置电路(35)连接有LDO输出端电压(Vout)；

所述误差放大器电路(31)包括差分对，所述差分对的一输入端与所述第二电路(20)的输出调节电压(Vref2)相连，所述差分对的另一输入端与所述LDO输出端电压(Vout)相连，构成单位增益的电压跟随器结构。

2.根据权利要求1所述的LDO调节电路，其特征在于，所述第二电路(20)包括误差放大器(EA)、PMOS管M0、比例电阻R1以及比例电阻R2；

所述误差放大器(EA)的反相输入端与所述第一电路(10)连接接入所述基准电压(Vref1)、同相输入端连接于所述比例电阻R1及比例电阻R2之间、输出端与所述PMOS管M0的栅极相连；

所述PMOS管M0的漏极连接于电路供电电压(Vddh)，所述PMOS管M0的源极与所述比例电阻R1一端相连，所述比例电阻R1另一端与所述比例电阻R2一端连接，所述第二比例电阻R2另一端连接至地；

所述第一电路(10)的基准电压(Vref1)与所述第二电路(20)的输出调节电压(Vref2)之间的关系为：

3.根据权利要求2所述的LDO调节电路，其特征在于，所述误差放大器电路(31)还包括电流镜负载的PMOS管M3和PMOS管M4、电流镜偏置的NMOS管M8和NMOS管M9；所述NMOS管M8的栅极和所述NMOS管M9的栅极相连；所述差分对包括NMOS管M1和NMOS管M2；

所述第一比例电流镜电路(32)包括PMOS管M5和PMOS管M7；

所述第二比例电流镜电路(33)包括所述PMOS管M5和PMOS管M6，所述PMOS管M5的栅极与所述PMOS管M6的栅极及所述PMOS管M7的栅极均连接；所述NMOS管M2的漏极与所述PMOS管M4的源极及所述PMOS管M5的源极相连、且连接于所述PMOS管M5的栅极及所述PMOS管M6的栅极；

所述电流偏置电路(35)包括PMOS管M10、PMOS管M11、PMOS管M12、PMOS管M13、NMOS管M14、NMOS管M15以及NMOS管M16；所述PMOS管M10的栅极与所述PMOS管M11的栅极及所述PMOS管M12的栅极均连接，所述PMOS管M10的源极与所述NMOS管M15的漏极相连、且连接于所述PMOS管M10的栅极及所述PMOS管M11的栅极之间；所述PMOS管M12的源极与所述PMOS管M13的漏极相连；

所述NMOS管M14的栅极与所述NMOS管M15的栅极及所述NMOS管M16的栅极均连接。