[发明专利]具有屏蔽区域的MOSFET器件及其制造方法

权利要求书

1.一种MOSFET器件，包括：

半导体材料的结构本体，所述半导体材料具有第一类型的导电性，所述结构本体具有沿着轴线彼此相对的第一侧和第二侧；

具有第二类型的导电性的本本体区域域，所述第二类型的导电性与所述第一类型的导电性相对，所述本本体区域域在所述第一侧处在所述结构本体中延伸；

具有所述第一类型的导电性的源极区域，所述源极区域在所述本本体区域域上延伸；

沟槽栅极，在所述结构本体中从所述第一侧开始延伸，并且完全穿过所述本本体区域域和所述源极区域；以及

具有所述第二类型的导电性的屏蔽区域，所述屏蔽区域在所述结构本体中从所述沟槽栅极的端部开始朝着所述结构本体的所述第二侧延伸，所述沟槽栅极的所述端部面对所述结构本体的所述第二侧。

2.根据权利要求1所述的MOSFET器件，其中所述沟槽栅极包括导电材料的栅极电极和绝缘材料的栅极电介质，所述栅极电介质在所述栅极电极和所述结构本体之间延伸，并且使所述栅极电极和所述结构本体彼此电绝缘，所述屏蔽区域与栅极电介质接触延伸。

3.根据权利要求1所述的MOSFET器件，其中所述屏蔽区域沿着所述轴线与所述沟槽栅极对齐。

4.根据权利要求1所述的MOSFET器件，其中所述屏蔽区域在正交于所述轴线的第一平面中具有延伸范围，所述延伸范围小于或等于所述沟槽栅极的在与所述第一平面平行的第二平面中的延伸范围。

5.根据权利要求1所述的MOSFET器件，其中所述结构本体具有所述第一类型的导电性的掺杂物质的浓度，以便在所述结构本体上赋予介于6.25Ω·cm至0.125Ω·cm之间的电阻率，并且其中所述屏蔽区域具有所述第二类型的导电性的掺杂物质的浓度，以便在所述屏蔽区域上赋予介于2.5·10^-1Ω·cm和6.5·10^-3Ω·cm之间的电阻率。

6.根据权利要求1所述的MOSFET器件，还包括：

源极电极，在所述第一侧上在所述结构本体中延伸，所述源极电极与所述源极区域和所述本本体区域域直接电接触；和

漏极电极，被电耦接到所述结构本体的所述第二侧。

7.根据权利要求1所述的MOSFET器件，其中所述半导体材料是碳化硅。

8.一种用于制造MOSFET器件的方法，包括：

形成具有第一类型的导电性的半导体材料的结构本体；

在所述结构层的第一侧形成第二类型的导电性的本本体区域域，所述第二类型与所述第一类型相对；

在所述结构本体的所述第一侧和在所述结构本体内形成源极区域，所述源极区域具有所述第一类型的导电性；

在所述结构层中形成沟槽栅极，所述沟槽栅极从所述第一侧开始并且完全穿过所述源极区域和所述本本体区域域；以及

在所述结构本体中、在所述沟槽栅极的端部处形成具有所述第二类型的导电性的屏蔽区域，所述沟槽栅极的所述端部面对所述结构本体的所述第二侧，所述屏蔽区域朝着所述结构本体的所述第二侧延伸。

9.根据权利要求8所述的方法，其中形成所述沟槽栅极包括：形成栅极电极，并在所述栅极电极与所述结构本体之间形成栅极电介质，以使所述栅极电极与所述结构本体电绝缘。

10.根据权利要求8所述的方法，其中形成所述屏蔽区域包括：

在所述结构层中形成沟槽，所述沟槽从所述第一侧开始并且穿过所述本本体区域域和所述源极区域；

在所述沟槽的侧壁上形成间隔件层，使得所述结构本体的一部分在所述沟槽的底部被暴露；以及

在所述沟槽的所述底部在所述结构层中注入具有所述第二类型的导电性的掺杂物质，并且其中形成所述栅极区域包括：在所述沟槽内形成所述栅极区域，使得所述栅极区域和所述屏蔽区域沿着所述轴线自对准。