[发明专利]一种衬底上的InP外延转移方法及制得的半导体器件在审
| 申请号： | 201910713995.9 | 申请日： | 2019-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN110600385A | 公开（公告）日： | 2019-12-20 |
| 发明（设计）人： | 常虎东;孙兵;苏永波;丁芃;刘洪刚;金智;刘新宇 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L21/683 |
| 代理公司： | 11619 北京辰权知识产权代理有限公司 | 代理人： | 董李欣 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 外延片 衬底 托片 去除 键合层 键合片 键合 涂覆 集成电路芯片 半导体器件 晶圆正面 质量缺陷 | ||
1.一种衬底上的InP外延转移方法，其特征在于，包括下列步骤：
步骤a：将InP外延片上远离衬底的一面键合在托片上，去除所述InP外延片的衬底；
步骤b：去除衬底后在所述InP外延片远离所述托片的一面上涂覆苯并环丁烯键合层；
步骤c：将硅CMOS芯片晶圆正面涂覆苯并环丁烯键合层；
步骤d：将所述步骤b得到的InP外延片与所述步骤c得到的硅CMOS芯片进行苯并环丁烯键合，得到键合片；
步骤e：去除所述键合片上的托片。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述托片为石英片。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述步骤a的键合手段为：通过低温蜡将所述InP外延与所述托片键合。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤d中，苯并环丁烯键合时的压力8～12MPar，时间7～9小时，温度200～250℃。
5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，步骤e中去除托片的方法是：将键合片放置在50～60℃丙酮中浸泡5～6小时。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤a中的去除方法为：先减薄，后腐蚀。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述腐蚀采用的腐蚀液为：磷酸与盐酸以质量比1:2.5～3混合而成的溶液。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤b中涂覆的苯并环丁烯键合层的厚度为150nm～250nm。
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤c中涂覆的苯并环丁烯键合层的厚度为150nm～250nm。
10.一种半导体器件，其特征在于，采用权利要求1-9任一项所述的方法制得。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
