[发明专利]一种混合B/C类低噪声压控振荡器有效
申请号: | 201910715779.8 | 申请日: | 2019-08-05 |
公开(公告)号: | CN110545075B | 公开(公告)日: | 2021-08-10 |
发明(设计)人: | 姚若河;刘爽;王立姣 | 申请(专利权)人: | 华南理工大学 |
主分类号: | H03B5/04 | 分类号: | H03B5/04;H03B5/24 |
代理公司: | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人: | 刘巧霞 |
地址: | 510640 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 混合 噪声 压控振荡器 | ||
1.一种混合B/C类低噪声压控振荡器,其特征在于,包括:
自开关电流源电路,在初始工作时,自开关电流源电路中的电流源处于开启的状态,为压控振荡器提供起振电流;
尾电流整形压控振荡器电路,该电路的尾电流源电流随着电路振荡增大,其电流被比例镜像到自开关电流源电路,并最终关断起振电流;
所述尾电流整形压控振荡器电路包括:
谐振电路,为电感电容式谐振电路,决定谐振频率;
交叉耦合晶体管对,用于提供负阻,以抵消由谐振腔产生的阻抗;
尾电流整形电路,用于提供近似脉冲的尾电流,将谐振电路产生的振荡信号反馈到尾电流源使尾电流波形与输出电压波形同步;
所述尾电流整形电路具体包括:
第三NMOS管M3,M3的栅极与自开关电流源电路相连,M3的漏极与交叉耦合晶体管对相连,M3的源极与地相连;
第四NMOS管M4,M4的栅极与自开关电流源电路相连,M4的漏极与交叉耦合晶体管对相连,M4的源极与地相连;
第一电阻R1,R1的一端接M3的栅极,另一端接偏置电压Vb;
第二电阻R2,R2的一端接M4的栅极,另一端接Vb;
第三电容C3,C3的一端接输出端口Vouta,另一端接第三NMOS管M3的栅极;
第四电容C4,C4的一端接输出端口Voutb,另一端接第四NMOS管M4的栅极;
所述Vb低于M3和M4的阈值电压;
所述自开关电流源电路包括:
动态开关电路,用于通过镜像尾电流整形压控振荡器中尾电流源的电流,获得一个动态的偏置电压;
起振电流源电路,用于根据动态偏置电压的高低决定起振电流源的开关;
所述动态开关电路具体包括:
第五PMOS管M5,M5的栅极与M5的漏极相连,M5的漏极与第六NMOS管M6的栅极相连,M5的源极与电源电压相连;
第七NMOS管M7,M7的栅极与M4的栅极相连,M7的漏极与M6的栅极相连,其源极与地相连;
第八NMOS管M8,M8的栅极与M3的栅极相连,M8的漏极与M6的栅极相连,M8的源极与地相连;
第五电容C5,C5的一端接M7、M8的漏极,另一端接地;
所述起振电流源电路由第六NMOS管M6构成,M6的栅极M7、M8的漏极相连,M6的漏极与M1、M2的源极相连,M6的源极与地相连;
所述M5的电流大小与M7、M8的电流比较,并通过C5充放电提供动态电压以此来控制M6的开关。
2.根据权利要求1所述的一种混合B/C类低噪声压控振荡器,其特征在于,所述谐振电路具体包括:
第一电容C1,C1一端接调谐电压Vtune,另一端接第一输出端口Vouta;
第二电容C2,C2一端接调谐电压Vtune,另一端接第二输出端口Voutb;
第一电感L1,L1的一端接电源电压,另一端接C1;
第二电感L2,L2的一端接电源电压,另一端接C2。
3.根据权利要求2所述的一种混合B/C类低噪声压控振荡器,其特征在于,所述C1、C2为可变电容,当输入调谐电压Vtune改变时,C1、C2随之变化,因而改变振荡频率;Vouta、Voutb分别接谐振电路两端,是振荡器的输出。
4.根据权利要求2所述的一种混合B/C类低噪声压控振荡器,其特征在于,所述交叉耦合晶体管对具体包括:
第一NMOS管M1,M1的栅极与第二输出端口Voutb相连,M1的漏极与第一输出端口Vouta相连,M1的源极与M2的源极相连;
第二NMOS管M2,M2的栅极与第一输出端口Vouta相连,M2的漏极与第二输出端口Voutb相连,M2的源极与M1的源极相连。
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