[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供包括电极的半导体晶片；

经由凸块将形成于半导体芯片的第一半导体元件与所述电极电连接；

在所述半导体晶片上形成第一绝缘树脂层直至达到掩埋所述半导体芯片的厚度为止；

移除所述第一绝缘树脂层的部分和所述半导体芯片的部分直至所述半导体芯片的厚度达到第一预定厚度为止；

在所述第一绝缘树脂层和所述半导体芯片上形成第一绝缘层；

提供第一导电布线，所述第一导电布线被电耦接至所述电极且延伸穿过所述第一绝缘层和所述第一绝缘树脂层；

在所述第一绝缘层上形成第二导电布线，所述第二导电布线与所述第一导电布线连接；

形成与所述第二导电布线电连接的第一端子；以及

移除所述半导体晶片的部分直至所述半导体晶片的厚度达到第二预定厚度为止。

2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，提供所述第一导电布线包括：

在所述第一绝缘层和所述第一绝缘树脂层中形成开口部以露出所述电极；以及

用导电性材料填充所述开口部。

3.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，进一步包括：

在连接所述半导体晶片与所述半导体芯片之前或之后，用第二绝缘树脂层填充所述半导体晶片与所述半导体芯片之间的间隙。

4.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

移除所述第一绝缘树脂的部分包括研磨所述第一绝缘树脂层。

5.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

所述半导体晶片包括多个元件区域，所述多个元件区域各包括第二半导体元件；

所述第二半导体元件包括掩埋电极，所述掩埋电极具有与所述第二半导体元件电连接的第一端部；以及

所述制造方法进一步包括：

在形成所述第一端子之后，使与所述第一端部相对的所述掩埋电极的第二端部露出；以及

形成第二端子，所述第二端子与所述掩埋电极的所述第二端部电连接。

6.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，进一步包括：

沿着形成作为所述半导体晶片的部分的多个元件区域之间的边界线，在所述半导体晶片形成宽度比划片宽度宽的槽；以及

将所述半导体晶片单片化；

其中将所述半导体晶片单片化包括沿着形成于所述半导体晶片的所述槽单片化所述半导体晶片，以及其中所述划片宽度比所述槽的宽度窄。

7.根据权利要求6所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

移除所述半导体晶片的部分包括移除直到所述半导体晶片的厚度达到完工厚度为止；以及

所述槽的深度大于或等于所述完工厚度。

8.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

准备包括电极的半导体晶片；

经由凸块将半导体芯片的第一半导体元件与所述电极电连接；

在连接所述半导体晶片与所述半导体芯片之前或之后，用第一绝缘树脂层填充相互对置的所述半导体晶片与所述半导体芯片之间的间隙；

在所述半导体晶片上形成第二绝缘树脂层直至达到掩埋所述半导体芯片的厚度为止；

移除所述第二绝缘树脂层的部分和所述半导体芯片的部分直至所述半导体芯片的厚度达到第一预定厚度为止；

在所述第二绝缘树脂层和所述半导体芯片上形成第一绝缘层；

提供被电耦接至所述电极的第一导电布线，其中所述第一导电布线延伸穿过所述第一绝缘层和所述第一绝缘树脂层；

在所述第一绝缘层上形成第二导电布线，所述第二导电布线与所述第一导电布线连接；

形成与所述第二导电布线电连接的第一端子；以及

移除所述半导体晶片的部分直至所述半导体晶片的厚度达到第二预定厚度为止。