[发明专利]一种基于银纳米线的复合导电薄膜及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201910716254.6 申请日: 2019-08-05
公开(公告)号: CN110517808B 公开(公告)日: 2021-06-18
发明(设计)人: 赵欣;蒋陵平;李梦 申请(专利权)人: 中国民用航空飞行学院
主分类号: H01B5/14 分类号: H01B5/14;H01B1/22;H01B13/00;H01L51/44;B82Y30/00
代理公司: 重庆晶智汇知识产权代理事务所(普通合伙) 50229 代理人: 李靖
地址: 618307 *** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 纳米 复合 导电 薄膜 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种基于银纳米线的复合导电薄膜的制备方法,包括衬底预处理、银纳米线层制备和钨酸铵涂层制备,其特征在于:所述钨酸铵涂层制备是将钨酸铵分散于离子水后加入混合有机溶剂,边加热边搅拌,加热搅拌过程中入浓盐酸,形成均匀稳定的喷涂前驱液;将衬底在含有清洁剂、丙酮、去离子水和乙醇的超声波浴中连续清洗,每一步10~20min,然后用氮气吹干;在衬底上涂覆了银纳米线层后加热至80~150℃,将前驱液进行超声雾化后,喷洒于衬底,保温5min~10min,然后将衬底温度降低至40~65℃,保温10~30min,沉积过程中前驱液分解蒸发,形成部分分解、成分相对复杂的钨酸铵均匀涂层;所述混合有机溶剂为DMF和乙二醇甲醚的混合有机溶剂,其体积比为1~3:10~13;所述衬底上涂覆的银纳米线薄膜层厚度为100~400nm,钨酸铵层厚度为10~100nm。

2.如权利要求1所述的一种基于银纳米线的复合导电薄膜的制备方法,其特征在于:所述钨酸铵、离子水、混合有机溶剂和浓盐酸的质量比为5~10:50~100:0.5~2:0.05~0.2,所述浓盐酸的浓度为36%~38%。

3.如权利要求1或2所述的一种基于银纳米线的复合导电薄膜的制备方法,其特征在于:所述加入浓盐酸的加热搅拌是在50℃温度下,按照搅拌速率为350-650rpm,搅拌40min~60min。

4.一种钨酸铵保护的银纳米线薄膜的制备方法,其特征在于:包括以下步骤:

(1)衬底预处理:在含有清洁剂、丙酮、去离子水和乙醇的超声波浴中连续清洗每一步10~20min,然后用氮气吹干;

(2)银纳米线层涂覆

用滚涂、刮涂、旋涂或喷涂方法在柔性或刚性衬底上涂覆上银纳米线墨水,110℃下干燥10min,银纳米线薄膜最终厚度为100~400nm;银纳米线墨水中含有分散剂、表面活性剂、流平剂、保湿剂和粘结剂助剂;

(3)钨酸铵涂层制备

a.将钨酸铵分散于离子水和混合有机溶剂中,在50℃温度下,按照350-650rpm的速度搅拌40min~60min,加热搅拌过程中加入浓盐酸,形成均匀稳定的前驱液,其中混合有机溶剂为DMF和乙二醇甲醚的混合有机溶剂,其体积比为1~3:10~13,钨酸铵与离子水、混合有机溶剂的质量比为5~10:50~100:0.5~2:0.05~0.2,浓盐酸浓度为36%~38%;

b.采用自动喷涂系统,将涂覆了银纳米线的衬底加热至80~150℃,将前驱液在1MHz~1.44MHz震荡频率下进行超声雾化,雾化率为0.1~2ml/min,雾化液喷洒于衬底进行沉积,沉积速率为5~20nm/min,保温5min~10min后,将衬底温度降至40~65℃,保温10min~30min,在沉积过程中前驱液分解蒸发,最终形成部分分解、成分相对复杂的厚度为10~100nm的钨酸铵涂层。

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