[发明专利]一种薄膜晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 201910716466.4 | 申请日： | 2019-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN110571276A | 公开（公告）日： | 2019-12-13 |
| 发明（设计）人： | 刘净 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/335;H01L29/423 |
| 代理公司： | 44300 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) | 代理人： | 黄威 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 钼合金层 薄膜晶体管 金属阻挡层 导电层 三元合金 基板 制备 栅极绝缘层 金属元素 显示面板 元件特性 附着性 接触层 源漏极 底切 良率 源层 加工 | ||
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：
基板；
栅极，形成于所述基板上；
栅极绝缘层，形成于所述栅极上；
有源层，形成于所述栅极绝缘层上；
接触层，形成于所述有源层上；以及
源漏极，形成在所述接触层和所述栅极绝缘层上；
其中，所述栅极包括金属阻挡层和导电层，所述金属阻挡层为钼合金层，所述钼合金层包括钼以及另外两种金属元素。
2.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述另外两种金属元素为钨、钕、铌和钽中的任意两种。
3.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述钼合金层为MoNbTa三元合金，其中Ta的重量百分比为0.05-20％。
4.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述钼合金层为MoNbNi三元合金，其中Ni的重量百分比为0.05-50％。
5.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述钼合金层中钼的重量百分比为30～95％，另外两种金属元素的重量百分比均为0.10～40％。
6.如权利要求1-5任一项所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述有源层为a-Si或IGZO。
7.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
基板提供步骤，提供一基板；
栅极制备步骤，在所述基板上表面制备一栅极；
栅极绝缘层制备步骤，在所述栅极上表面制备一栅极绝缘层；
有源层制备步骤，在所述栅极绝缘层上表面制备一有源层；
接触层制备步骤，在所述有源层上表面制备一接触层；以及
源漏极制备步骤，在所述接触层和所述栅极绝缘层上表面制备一源漏极；
其中，所述栅极制备步骤包括如下步骤：
金属阻挡层制备步骤，在所述基板上表面制备一金属阻挡层；以及
导电层制备步骤，在所述金属阻挡层上表面制备一导电层；
所述金属阻挡层为钼合金层，所述钼合金层包括钼以及另外两种金属元素。
8.如权利要求7所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，
所述另外两种金属元素为钨、钕、铌和钽中的任意两种。
9.如权利要求7所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，
所述钼合金层中钼的重量百分比为30～95％，另外两种金属元素的重量百分比均为0.10～40％。
10.如权利要求7所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，
采用过氧化氢体系的铜酸刻蚀液对所述导电层、所述金属阻挡层进行蚀刻处理，形成图案化的栅极。
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