[发明专利]摄像装置

说明书

有关本发明的一形态的摄像装置具备半导体基板和像素。上述半导体基板包括：第1面；上述第1面的相反侧的第2面；第1区域，包含第1导电型的杂质；第2区域，包含与上述第1导电型不同的第2导电型的杂质，比上述第1区域更接近于上述第1面；第3区域，包含上述第1导电型的杂质，比上述第2区域更接近于上述第1面；以及第4区域，贯通上述第2区域，连接上述第1区域与上述第3区域，包含上述第1导电型的杂质。上述像素包括：光电变换部，将光变换为电荷；以及第1扩散区域，与上述光电变换部电连接，包含上述第2导电型的杂质，位于上述第3区域内，在上述第1面露出。在平面视中，上述第4区域与上述第1扩散区域的整体重叠。

技术领域

本发明涉及摄像装置。

背景技术

在数字相机等中，广泛地使用CCD(Charge Coupled Device，电荷耦合器件)图像传感器及CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor，互补金属氧化物半导体)图像传感器。这些图像传感器具有形成在半导体基板上的光电二极管。

例如，如在国际公开第2012/147302号中公开那样，代替光电二极管还提出了在半导体基板的上方配置有光电变换层的构造。具有这样的构造的摄像装置有被称作层叠型摄像装置的情况。在层叠型摄像装置中，通过光电变换生成的电荷作为信号电荷而暂时积蓄到形成在半导体基板上的扩散区域等中。与积蓄的电荷量相应的信号经由形成在半导体基板上的CCD电路或CMOS电路而被读出。

在与表现图像的信号电荷不同的电荷流入了暂时保持信号电荷的扩散区域的情况下，可能成为使得到的图像产生劣化的噪声的原因。如果能够抑制这样的不想要的电荷的移动则是有益的。以下，有将这样的不想要的电荷的移动表现为暗电流或漏电流的情况。

发明内容

有关本发明的一技术方案的摄像装置具备半导体基板和像素。上述半导体基板包括：第1面；上述第1面的相反侧的第2面；第1区域，包含第1导电型的杂质；第2区域，包含与上述第1导电型不同的第2导电型的杂质，比上述第1区域更接近于上述第1面；第3区域，包含上述第1导电型的杂质，比上述第2区域更接近于上述第1面；以及第4区域，贯通上述第2区域，连接上述第1区域与上述第3区域，包含上述第1导电型的杂质。上述像素包括：光电变换部，将光变换为电荷；以及第1扩散区域，与上述光电变换部电连接，包含上述第2导电型的杂质，位于上述第3区域内，在上述第1面露出。在平面视中，上述第4区域与上述第1扩散区域的整体重叠。

此外，总括性或具体的形态也可以由元件、器件、模块、系统或方法实现。此外，总括性或具体的形态也可以由元件、器件、装置、模块、系统及方法的任意的组合来实现。

此外，所公开的实施方式的追加性的效果及优点根据说明书及附图变得清楚。效果及/或优点由说明书及附图中公开的各种各样的实施方式或特征分别提供，并不是为了得到它们中的1个以上而需要全部。

附图说明

图1是表示有关本发明的实施方式1的摄像装置的例示性的结构的图。

图2是表示有关本发明的实施方式1的摄像装置的例示性的电路结构的示意图。

图3是示意地表示有关本发明的实施方式1的摄像装置的像素的器件构造的一例的剖视图。

图4是表示有关本发明的实施方式1的摄像装置的像素中的各元件的布局的一例的示意性的平面图。

图5是表示有关本发明的实施方式1的摄像装置的像素的对于第1扩散区域的暗电流的、第1扩散区域的正下方向的p型区域的面积依赖性的图。

图6是示意地表示有关本发明的实施方式2的摄像装置的像素的器件构造的一例的剖视图。

图7是表示有关本发明的实施方式2的摄像装置的像素中的各元件的布局的一例的示意性的平面图。