[发明专利]真空处理装置

权利要求书

1.一种真空处理装置，包括：

上料系统，构造成将基材送入所述真空处理装置中；

设置在真空腔体内的离子源系统，包括前处理模块、离子注入模块、多弧离子镀沉积模块以及磁控溅射模块，以对所述基材进行处理；

电源系统，为所述离子源系统中的各个模块提供电力；

移动系统，构造成移动所述基材以使其经过所述离子源系统中的各个模块；以及

下料系统，构造成从所述真空处理装置取出处理后的所述基材。

2.根据权利要求1所述的真空处理装置，其特征在于：

所述上料系统包括具有一组或多组机械手臂和输送机构的自动上料装置，其构造成将多个所述基材在夹具上组装成串，再将所述夹具安装到所述移动系统上的相应位置；

所述下料系统包括具有一组或多组机械手臂和输送机构的自动下料装置，其构造成将所述夹具从所述移动系统卸下，再将处理后的所述基材从所述夹具卸下。

3.根据权利要求2所述的真空处理装置，其特征在于，所述夹具包括底座、隔板、定位支撑杆和锁紧螺母，其中所述隔板隔开相邻的所述基材并屏蔽所述基材的不处理表面，所述隔板中的至少一些可滑动地由所述定位支撑杆引导。

4.根据权利要求1所述的真空处理装置，其特征在于，所述前处理模块包括霍尔源处理模块、阳极层处理模块、或者射频处理模块，以针对不同的基材选用。

5.根据权利要求4所述的真空处理装置，其特征在于，所述前处理模块还包括用于在所述霍尔源处理模块中的霍尔源处理前加热所述基材的加热装置，所述加热装置采用红外灯管加热模式，以将电能转换为波长介于780nm~1mm之间的红外线辐射波。

6.根据权利要求4所述的真空处理装置，其特征在于，所述霍尔源处理模块具有1~2kV的电源输出电压和0.1~2A的电流，用于清洗活化所述基材的表面。

7.根据权利要求1所述的真空处理装置，其特征在于，所述离子注入模块具有10~30kV的电源输出电压和1~20mA的电流，用于将Cr、Ni、Ag、Cu、Au、Pt、Ti、Al、Mo、W以及它们的合金中的一种或多种注入到所述基材的表面下方，以形成离子注入层。

8.根据权利要求1所述的真空处理装置，其特征在于，所述多弧离子镀沉积模块具有45~70A的电源电流、6~15A的引出电流、以及5~20V的偏压电场，用于将Cr、Ni、Ag、Cu、Au、Pt、Ti、Al、Mo、W以及它们的合金中的一种或多种沉积到所述基材的表面上方。

9.根据权利要求8所述的真空处理装置，其特征在于，所述多弧离子镀沉积模块包括第一多弧离子镀设备和第二多弧离子镀设备，用于相继地在所述基材的表面上方形成第一金属打底层和第二金属打底层。

10.根据权利要求1所述的真空处理装置，其特征在于，所述磁控溅射模块具有0.5~20A的电源电流和5~50kW的功率，用于将Cr、Ni、Ag、Cu、Au、Pt、Ti、Al、Mo、W以及它们的合金中的一种或多种沉积到所述基材的表面上方，以形成第三金属打底层。

11.根据权利要求1-10中任一项所述的真空处理装置，其特征在于，所述真空腔体具有多面体单腔体结构，其中所述前处理模块、所述离子注入模块、所述多弧离子镀沉积模块以及所述磁控溅射模块沿圆周方向分布在主腔体的周围，所述移动系统包括设置于所述主腔体的行星传动机构，以实现所述基材的自转和公转。