[发明专利]薄膜沉积方法、半导体器件的制作方法及半导体器件有效
| 申请号： | 201910718090.0 | 申请日： | 2019-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN112331554B | 公开（公告）日： | 2022-03-04 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;C23C16/513 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 王辉;阚梓瑄 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜 沉积 方法 半导体器件 制作方法 | ||
1.一种薄膜沉积方法，其特征在于，包括：
将半导体衬底置于沉积室内；
向所述沉积室内充入含有第一反应气体和第二反应气体的混合气体；
将射频发生器的射频功率调整至第一射频功率，使得所述第一反应气体和所述第二反应气体在所述第一射频功率下发生反应，以在所述半导体衬底上沉积目标薄膜；
停止所述混合气体中所述第一反应气体的充入，继续所述混合气体中所述第二反应气体的充入；
将所述射频发生器的射频功率从所述第一射频功率升至第二射频功率，使得所述第二反应气体与所述沉积室内残余的所述第一反应气体在所述第二射频功率下充分反应；
停止所述混合气体中所述第二反应气体的充入；
使所述射频发生器的射频功率从所述第二射频功率以预设速率逐渐减小至零。
2.根据权利要求1所述的薄膜沉积方法，其特征在于，所述第一反应气体包括甲硅烷气体，所述第二反应气体包括一氧化二氮气体，所述目标薄膜为氮氧化硅薄膜。
3.根据权利要求2所述的薄膜沉积方法，其特征在于，所述混合气体中所述甲硅烷气体的流量小于所述一氧化二氮气体的流量。
4.根据权利要求3所述的薄膜沉积方法，其特征在于，所述甲硅烷气体的流量为100sccm至1000sccm；所述一氧化二氮气体的流量为100sccm至1000sccm。
5.根据权利要求1所述的薄膜沉积方法，其特征在于，所述第一射频功率为100W至300W；所述第二射频功率为150W至500W。
6.根据权利要求1所述的薄膜沉积方法，其特征在于，所述混合气体除了包含所述第一反应气体和所述第二反应气体，还包含惰性气体。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的薄膜沉积方法，其特征在于，
所述预设速率为10W/s至100W/s。
8.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：权利要求1至7中任一项所述的薄膜沉积方法。
9.一种半导体器件，其特征在于，采用权利要求8中所述的半导体器件的制作方法制作而成。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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