[发明专利]半导体存储装置及其控制方法

说明书

本发明涉及一种半导体存储装置及其控制方法。根据一实施方式，半导体存储装置具备：存储器晶体管；第1布线，连接在存储器晶体管的栅极电极；以及控制装置，进行从存储器晶体管读出数据的读出动作及将数据写入存储器晶体管的写入动作。控制装置从读出动作或写入动作的第1时序至第2时序，使第1布线的电压增大至第1电压为止，并对应于从第1时序至第2时序为止的第1布线的电压、电流及电荷量的至少一者，调整从第1时序至第2时序为止的长度。

[相关申请的引用]

本申请以在2019年3月13日提出申请的现有日本专利申请第2019-046071号的优先权的利益为基础，且谋求其利益，其整体内容是通过引用而被包含在本文中。

技术领域

以下所记载的实施方式涉及一种半导体存储装置及其控制方法。

背景技术

已知包含存储器晶体管的半导体存储装置及其控制方法。

发明内容

一实施方式的半导体存储装置具备：存储器晶体管；第1布线，连接在存储器晶体管的栅极电极；以及控制装置，进行从存储器晶体管读出数据的读出动作及将数据写入存储器晶体管的写入动作。控制装置从读出动作或写入动作的第1时序至第2时序，使第1布线的电压增大至第1电压为止，并对应于从第1时序至第2时序为止的第1布线的电压、电流及电荷量的至少一者，调整从第1时序至第2时序为止的长度。

一实施方式的半导体存储装置的控制方法是具备存储器晶体管、连接在存储器晶体管的栅极电极的第1布线、及进行从存储器晶体管读出数据的读出动作及将数据写入存储器晶体管的写入动作的控制装置的半导体存储装置的控制方法。另外，在该控制方法中，控制装置从读出动作或写入动作的第1时序至第2时序，使第1布线的电压增大至第1电压为止，并对应于从第1时序至第2时序为止的第1布线的电压、电流及电荷量的至少一者，调整从第1时序至第2时序为止的长度。

附图说明

图1是表示第1实施方式的半导体存储装置MD的构成的示意性框图。

图2是表示半导体存储装置MD的一部分的构成的示意性电路图。

图3是表示半导体存储装置MD的一部分的构成的示意性电路图。

图4是表示半导体存储装置MD的构成的示意性俯视图。

图5是图4的一部分的放大图。

图6是将图5所示的构造沿着A-A'线切断，并沿箭头的方向观察的截面图。

图7是图6的一部分的放大图。

图8是用来对第1实施方式的读出动作进行说明的示意性流程图。

图9是用来对所述读出动作进行说明的示意性时序图。

图10是用来对所述读出动作进行说明的示意性截面图。

图11是用来对所述读出动作进行说明的示意性截面图。

图12是用来对所述读出动作进行说明的示意性截面图。

图13是用来对比较例的读出动作进行说明的示意性流程图。

图14是用来对所述读出动作进行说明的示意性时序图。

图15是用来对所述读出动作进行说明的示意性截面图。

图16是用来对所述读出动作进行说明的示意性时序图。

图17是用来对所述读出动作进行说明的示意性时序图。

图18A是用来对第1实施方式的读出动作进行说明的示意性时序图。

图18B是用来对第1实施方式的读出动作进行说明的示意性时序图。