[发明专利]用于替换栅极流程的内部L间隔件有效

申请号：	201910718825.X	申请日：	2014-09-10
公开（公告）号：	CN110491837B	公开（公告）日：	2023-03-07
发明（设计）人：	切特·弗农·伦诺克斯;森秋·宋;布赖恩·K·柯克帕特里克	申请（专利权）人：	德州仪器公司
主分类号：	H01L21/8234	分类号：	H01L21/8234
代理公司：	北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287	代理人：	林斯凯
地址：	美国德***	国省代码：	暂无信息
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摘要：
搜索关键词：	用于替换栅极流程内部间隔
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【权利要求书】：

1.一种形成集成电路的方法，其包括以下步骤：

提供包括半导体的衬底；

移除安置于所述衬底上的第一牺牲栅极及第一牺牲栅极电介质层以在用于具有第一极性的第一MOS晶体管的区中形成第一栅极腔，且移除安置于所述衬底上的第二牺牲栅极及第二牺牲栅极电介质层以在用于具有第二相反极性的第二MOS晶体管的区中形成第二栅极腔；

在保护性电介质层上方邻近于所述第一栅极腔及所述第二栅极腔形成电介质材料的第一衬里，所述第一衬里延伸到所述第一栅极腔及所述第二栅极腔中；

在所述第一衬里上形成不同电介质材料的第二衬里，所述第二衬里延伸到所述第一栅极腔及所述第二栅极腔中；

从所述第一栅极腔及所述第二栅极腔的底部移除所述第二衬里，而留下在所述第一衬里的垂直表面上在所述第一栅极腔及所述第二栅极腔中的所述第二衬里；

从所述保护性电介质层的顶部表面以及从所述第一栅极腔及所述第二栅极腔的底部移除所述第一衬里以便暴露所述衬底；

移除所述第一栅极腔及所述第二栅极腔中的所述第二衬里，而留下在所述第一栅极腔中的适当位置中的所述第一衬里作为第一L形间隔件且留下在所述第二栅极腔中的适当位置中的所述第一衬里作为第二L形间隔件；

在所述衬底及所述第一栅极腔中的所述第一L形间隔件上形成第一永久栅极电介质层；

在所述衬底及所述第二栅极腔中的所述第二L形间隔件上形成第二永久栅极电介质层；

在所述第一永久栅极电介质层上形成第一替换栅极，所述第一永久栅极电介质层及所述第一替换栅极叠置于所述第一L形间隔件的接触所述衬底的一部分上；及

在所述第二永久栅极电介质层上形成第二替换栅极，所述第二永久栅极电介质层及所述第二替换栅极叠置于所述第二L形间隔件的接触所述衬底的一部分上。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一衬里为二氧化硅。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二衬里为氮化硅。

4.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括以下步骤：在所述从所述第一栅极腔及所述第二栅极腔的所述底部移除所述第一衬里的步骤之后且在所述移除所述第二衬里而留下在适当位置中的所述第一衬里作为第一L形间隔件及作为第二L形间隔件的步骤之前，在所述衬底的顶部表面处在所述第一栅极腔及所述第二栅极腔中形成氧化硅层。

5.根据权利要求1所述的方法，其中：

所述第一MOS晶体管的栅极长度为26纳米到30纳米；

所述第二MOS晶体管的栅极长度为26纳米到30纳米；且

所述第一衬里的厚度为1纳米到4纳米。

6.根据权利要求1所述的方法，其中：

所述第一MOS晶体管的栅极长度为18纳米到22纳米；

所述第二MOS晶体管的栅极长度为18纳米到22纳米；且

所述第一衬里的厚度为1纳米到3纳米。

7.根据权利要求1所述的方法，其中：

所述第一MOS晶体管的栅极长度为12纳米到16纳米；

所述第二MOS晶体管的栅极长度为12纳米到16纳米；且

所述第一衬里的厚度为1纳米到2.5纳米。