[发明专利]一种具有合成反铁磁结构的自旋阀薄膜

权利要求书

1.一种具有合成反铁磁结构的自旋阀薄膜，所述的具有合成反铁磁结构的自旋阀薄膜自底而上分别有衬底、缓冲层、复合自由层、非磁性隔离层、反铁磁钉扎层以及覆盖层，其特征在于：非磁性隔离层以及反铁磁钉扎层两层之间设置有合成反铁磁结构，所述合成反铁磁结构由CoFe1/Ru/CoFe2三层结构组成，所述合成反铁磁结构中的CoFe1厚度范围为1～3nm，Ru的厚度为0.5nm，CoFe2的厚度范围为1～3nm，所述合成反铁磁结构中的CoFe1与CoFe2两层厚度比为CoFe1：CoFe2＝1：1。

2.根据权利要求1所述的一种具有合成反铁磁结构的自旋阀薄膜，其特征在于：所述衬底选用硅基衬底、玻璃衬底或柔性PET衬底制成。

3.根据权利要求1所述的一种具有合成反铁磁结构的自旋阀薄膜，其特征在于：所述缓冲层采用金属Ta制成，且缓冲层的厚度范围为4～6nm。

4.根据权利要求1所述的一种具有合成反铁磁结构的自旋阀薄膜，其特征在于：所述复合自由层采用NiFe/CoFe双层膜结构制成。

5.根据权利要求4所述的一种具有合成反铁磁结构的自旋阀薄膜，其特征在于：所述复合自由层中的NiFe厚度范围为3～5nm，CoFe厚度范围为0.5～1.5nm且NiFe与CoFe两层厚度比为4：1。

6.根据权利要求1所述的一种具有合成反铁磁结构的自旋阀薄膜，其特征在于：所述非磁性隔离层采用金属Cu或者金属Ru制成，所述非磁性隔离层厚度范围为1～2nm。

7.根据权利要求1所述的一种具有合成反铁磁结构的自旋阀薄膜，其特征在于：所述反铁磁钉扎层采用IrMn或者FeMn材料制成，且反铁磁钉扎层的厚度范围为11～13nm。

8.根据权利要求1所述的一种具有合成反铁磁结构的自旋阀薄膜，其特征在于：所述覆盖层采用金属Ta制成，所述覆盖层厚度为4～6nm。