[发明专利]一种高频段滤波装置、电器设备及其高频段滤波方法

权利要求书

1.一种高频段滤波装置，其特征在于，包括：基本滤波单元和第一高频陷波单元；所述第一高频陷波单元，设置在所述基本滤波单元中；其中，

所述基本滤波单元，用于对待滤波的电源中高频段之外频段部分的共模干扰进行滤除；

所述第一高频陷波单元，用于对所述电源中高频段部分的高频共模干扰提供高频共模干扰的高阻抗旁路通路。

2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述基本滤波单元，包括：第一磁环、第一共模扼流圈和第一共模电容；其中，

所述第一磁环，设置在所述电源的电源进线的L、N线处；

所述第一共模电容和所述第一高频陷波单元，依次并行设置在电源进线的L、N线与地线之间；

所述第一共模扼流圈，设置在电源进线的L、N线上，且位于所述第一共模电容和所述第一高频陷波单元之间。

3.根据权利要求2所述的装置，其特征在于，所述基本滤波单元，还包括：第二共模扼流圈；所述第二共模扼流圈设置在所述电源的电源出线的L、N线上；

其中，所述第一磁环，包括：阻抗值在预设值以上的高频段磁环，以与所述第一共模扼流圈和所述第二共模扼流圈，形成两级以上的多级滤波单元。

4.根据权利要求3所述的装置，其特征在于，该高频段滤波装置，还包括：第二高频陷波单元；

所述第二高频陷波单元，设置在电源进线的L、N线与地线之间，且位于所述第二高频陷波单元远离电源线进线的一侧。

5.根据权利要求4所述的装置，其特征在于，所述第二高频陷波单元的结构，与所述第一高频陷波单元的结构相同。

6.根据权利要求2-5之一所述的装置，其特征在于，所述第一高频陷波单元，包括：第二共模电容和第一陷波电感；其中，

所述第二共模电容的公共端，经所述第一陷波电感后接地。

7.根据权利要求6所述的装置，其特征在于，所述第一高频陷波单元，还包括：第一陷波电阻；其中，

所述第二共模电容的公共端，依次经所述第一陷波电感和所述第一陷波电阻后接地。

8.根据权利要求6所述的装置，其特征在于，每个共模电容，包括：陶瓷电容或薄膜电容；

每个共模电容的电容值大于第一共模扼流圈或第二共模扼流圈的寄生电容；

和/或，

第一陷波电感，包括：两个以上电感；两个以上所述电感串联；

第一陷波电感的磁芯，采用镍锌铁氧体或镁锌铁氧体设置。

9.一种电器设备，其特征在于，包括：如权利要求1-8任一所述的高频段滤波装置。

10.一种如权利要求9所述的电器设备的高频段滤波方法，其特征在于，包括：

通过基本滤波单元，对待滤波的电源中高频段之外频段部分的共模干扰进行滤除；

通过第一高频陷波单元，对所述电源中高频段部分的高频共模干扰提供高频共模干扰的高阻抗旁路通路。