[发明专利]集成电路的多重精细印刷平面微细加工工艺

权利要求书

1.一种基于离子束扫描加工的无刻蚀集成电路加工工艺，其特征为由PN结隔离的带电区构成的电控模板由P型离子扫描注入形成，具有爆炸颗粒的色带的爆炸转印由离子束扫描触发。

2.根据权利要求1所述的集成电路加工工艺，其特征为将每次需要通过静电吸附转移涂铺材料的密集图形进行拆分，分解成为多步，而每步转移涂铺操作的仅包括距离相对较远、图形间静电相互影响可忽略的单元图形进行电控模板转印操作。每次电控模板转印涂铺操作完毕后，随即进行转移材料在基片的定影(烧结)以及随后的基片的清洁与消电操作，以备进行下一次相似材料转印涂铺操作。

3.根据权利要求2所述的集成电路加工工艺，其特征为每步转印操作的电控模板均具有两个或者两个以上的坐标固定的位置套准点。

4.根据权利要求1所述的集成电路加工工艺，其特征为电控模由在N型半导体基片，按照能够联通分步涂铺材料图形在电控模板基片上刻出沟槽，然后在沟槽中铺由P型金属(铝或者铟)构成的导电层，再在沟槽上涂铺(外延)N型掺杂半导体材料并磨削平整后，注入P型(硼，铝或镓)离子形成P型区，并贯通埋设的导电层，形成电压可以调节的分步涂铺材料的潜影图形。

5.根据权利要求1所述的集成电路加工工艺，其特征为“色带”由导电带层、基带层与料带层构成，基带层含有一定浓度的由离子束引爆的爆炸物(炸药)颗粒。

6.根据权利要求5所述的集成电路加工工艺，其特征为当离子束射入爆炸物颗粒，该炸药颗粒爆炸，其反冲力将色带中爆炸颗粒下部的料推向集成电路基片。