[发明专利]一种像素单元的建模方法及其装置

权利要求书

1.一种像素单元的建模方法，其特征在于，包括：

获取掺杂区的光电转换数据，掺杂区包括：第一钳位层、第一掺杂区以及外延层构成的区域；

根据所述光电转换数据，确定电流源模型；

获取所述掺杂区形成的电容的第一电容数据；

根据所述第一电容数据，确定第一电容模型；

获取输出区与隔离区形成的电容的第二电容数据；

根据所述第二电容数据，确定第二电容模型；

获取传输栅与第二钳位层和所述隔离区构成的第一MOS管的第一电学数据；

根据所述第一电学数据，确定第一MOS管模型；

获取调制栅与所述第一掺杂区和存储区构成的第二MOS管的第二电学数据；

根据所述第二电学数据，确定第二MOS管模型；

获取所述调制栅与所述第一掺杂区和所述存储区构成的电阻数据；

根据所述电阻数据，确定电阻模型；

获取所述存储区形成的电容的第三电容数据；

根据所述第三电容数据，确定第三电容模型；

将所述电流源模型、所述第一电容模型、所述第二电容模型、所述第一MOS管模型、第二MOS管模型、所述电阻模型以及所述第三电容模型进行组建，获得像素单元模型。

2.根据权利要求1所述的像素单元的建模方法，其特征在于，所述将所述电流源模型、所述第一电容模型、所述第二电容模型、以及所述第一MOS管模型、第二MOS管模型、所述电阻模型以及所述第二电容模型进行组建，获得像素单元模型之前，还包括：

获取所述掺杂区的第一延迟参数信息，所述第一延迟参数信息包括以下任意一项或其组合：所述掺杂区的参杂浓度、所述第一掺杂区的形状、所述外延层的厚度；

根据所述第一延迟参数信息，确定第一延时模型；

所述将所述电流源模型、所述第一电容模型、所述第二电容模型、以及所述第一MOS管模型、第二MOS管模型、所述电阻模型以及所述第二电容模型进行组建，获得像素单元模型，包括：

将所述电流源模型、所述第一电容模型、所述第二电容模型、以及所述第一MOS管模型、第二MOS管模型、所述电阻模型、第一延时模型以及所述第二电容模型进行组建，获得像素单元模型。

3.根据权利要求2所述的像素单元的建模方法，其特征在于，所述将所述电流源模型、所述第一电容模型、所述第二电容模型、以及所述第一MOS管模型、第二MOS管模型、所述电阻模型以及所述第二电容模型进行组建，获得像素单元模型之前，还包括：

获取第二延迟参数信息，所述第二延迟参数信息包括以下任意一项或其组合：所述第一掺杂区与所述输出区之间的电压差、所述第一掺杂区内部的初始电子个数、所述第一掺杂区的长度、所述传输栅的电压、调制栅尺寸、调制栅电压、两个调制栅之间的距离；

根据所述第二延迟参数信息，确定第二延时模型；

所述将所述电流源模型、所述第一电容模型、所述第二电容模型、以及所述第一MOS管模型、第二MOS管模型、所述电阻模型、第一延时模型以及所述第二电容模型进行组建，获得像素单元模型，包括：

将所述电流源模型、所述第一电容模型、所述第二电容模型、以及所述第一MOS管模型、第二MOS管模型、所述电阻模型、所述第一延时模型、所述第二延时模型以及所述第二电容模型进行组建，获得像素单元模型。

4.根据权利要求3所述的像素单元的建模方法，其特征在于，所述第二MOS管模型，包括：

将所述第二MOS管模型的漏极电容设置为0，所述第二MOS管模型的源极电容设置为0。

5.根据权利要求4所述的像素单元的建模方法，其特征在于，所述第一MOS管模型，包括：所述传输栅与所述第二钳位层构成的第一子MOS管模型，和所述传输栅与所述隔离区构成的第二子MOS管模型。

6.根据权利要求5所述的像素单元的建模方法，其特征在于，所述第一MOS管模型，还包括：

将所述第一子MOS管模型的漏极与所述第二子MOS管模型的源极直连，所述第一子MOS管模型的漏极电容设置为0，所述第二子MOS管模型的源极电容设置为0。