[发明专利]一种像素单元的建模方法及其装置

权利要求书

1.一种像素单元的建模方法，其特征在于，包括：

获取掺杂区的光电转换数据，所述掺杂区包括：钳位层、第一掺杂区以及外延层构成的区域，掺杂在所述第一掺杂区的第一类型材料与掺杂在所述钳位层和所述外延层的第二类型材料的半导体材料类型不同；

根据所述光电转换数据，确定电流源模型，所述电流源为用于进行光电转换并输出电流的区域；

获取所述掺杂区形成的电容的第一电容数据；

根据所述第一电容数据，确定第一电容模型；

获取输出区与隔离区形成的电容的第二电容数据；

根据所述第二电容数据，确定第二电容模型；

获取传输栅与所述钳位层和所述隔离区构成的MOS管的电学数据；

根据所述电学数据，确定MOS管模型；

将所述电流源模型、所述第一电容模型、所述第二电容模型以及所述MOS管模型进行组建，获得像素单元模型。

2.根据权利要求1所述的像素单元的建模方法，其特征在于，所述将所述电流源模型、所述第一电容模型、所述第二电容模型以及所述MOS管模型进行组建，获得像素单元模型之前，还包括：

获取所述掺杂区的第一延迟参数信息，所述第一延迟参数信息包括以下任意一项或其组合：所述掺杂区的掺杂浓度、所述第一掺杂区的形状、所述第一掺杂区与所述传输栅之间的接触面积、所述外延层的厚度；

根据所述第一延迟参数信息，确定第一延时模型；

获取所述掺杂区的第二延迟参数信息，所述第二延迟参数信息包括以下任意一项或其组合：所述第一掺杂区与所述输出区之间的电压差、所述第一掺杂区内部的初始电子个数、所述第一掺杂区的长度、所述传输栅的电压；

根据所述第二延迟参数信息，确定第二延时模型；

所述将所述电流源模型、所述第一电容模型、所述第二电容模型以及所述MOS管模型进行组建，获得像素单元模型，包括：

将所述电流源模型、所述第一电容模型、所述第二电容模型、所述第一延时模型、所述第二延时模型以及所述MOS管模型进行组建，获得像素单元模型。

3.根据权利要求1所述的像素单元的建模方法，其特征在于，所述MOS管模型，包括：

所述传输栅与所述钳位层构成的第一MOS管模型，和所述传输栅与所述隔离区构成的第二MOS管模型。

4.根据权利要求3所述的像素单元的建模方法，其特征在于，所述MOS管模型，还包括：

将所述第一MOS管模型的漏极与所述第二MOS管模型的源极直连，所述第一MOS管模型的漏极电容设置为0，所述第二MOS管模型的源极电容设置为0。

5.根据权利要求4所述的像素单元的建模方法，其特征在于，所述将所述第一MOS管模型的漏极与所述第二MOS管模型的源极直连，所述第一MOS管模型的漏极电容设置为0，所述第二MOS管模型的源极电容设置为0，包括：

将所述第一MOS管模型的单位面积源漏结电容设置为0，所述第一MOS管模型的单位长度源漏的侧壁结电容设置为0，所述第一MOS管模型的单位宽度的栅漏交叠电容设置为0，所述第一MOS管模型的栅源交叠电容设置为0；

将所述第二MOS管模型的单位面积源漏结电容设置为0，所述第二MOS管模型的单位长度源漏的侧壁结电容设置为0，所述第二MOS管模型的单位宽度的栅漏交叠电容设置为0，所述第二MOS管模型的栅源交叠电容设置为0。

6.根据权利要求1-5任一项所述的像素单元的建模方法，其特征在于，所述光电转换数据包括第一电流与漏电流之间的差值，所述第一电流包括所述像素单元将接收的全部光波通过光电转换所形成的电流，所述漏电流包括PN结反向流出的电流，所述PN结包括所述第一掺杂区与所述外延层之间形成的空间电荷区域。