[发明专利]曲面纳米结构的制备方法

权利要求书

1.一种曲面纳米结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

在衬底上旋涂电子束抗蚀剂，形成抗蚀层；

将所述抗蚀层进行曝光和显影，得到具有图案的所述抗蚀层，所述图案的宽度为50nm～200nm，所述图案的间距为10nm～200nm；及

对所述衬底和具有图案的所述抗蚀层进行离子刻蚀，以使所述抗蚀层被刻蚀，并使所述衬底上形成曲面凹槽，得到曲面纳米结构；

所述对所述衬底和具有图案的所述抗蚀层进行离子刻蚀的步骤中，刻蚀气体为SF₆和CHF₃的混合气体，所述SF₆的流量为6sccm～16sccm，所述CHF₃的流量为60sccm～80sccm。

2.根据权利要求1所述的曲面纳米结构的制备方法，其特征在于，所述将所述抗蚀层进行曝光和显影，得到具有图案的所述抗蚀层的步骤中，所述图案的宽度为50nm、100nm或200nm，所述图案的间距为200nm。

3.根据权利要求1所述的曲面纳米结构的制备方法，其特征在于，所述将所述抗蚀层进行曝光和显影的步骤中，曝光剂量为1C/m²～10C/m²，显影液为体积比为1:1～3:1的异丙醇与甲基异丁基甲酮的混合液，显影时间为1分钟～5分钟。

4.根据权利要求1所述的曲面纳米结构的制备方法，其特征在于，所述抗蚀层的厚度至少为50nm。

5.根据权利要求1～4任一项所述的曲面纳米结构的制备方法，其特征在于，所述抗蚀层的厚度为50nm～300nm。

6.根据权利要求1所述的曲面纳米结构的制备方法，其特征在于，所述电子束抗蚀剂选自聚甲基丙烯酸甲酯、德国All resist的AR-P6200及日本zeon的ZEP520中的一种。

7.根据权利要求1所述的曲面纳米结构的制备方法，其特征在于，所述对所述衬底和具有图案的所述抗蚀层进行离子刻蚀的步骤中，刻蚀功率为100W～1200W。

8.根据权利要求1或7所述的曲面纳米结构的制备方法，其特征在于，所述对所述衬底和具有图案的所述抗蚀层进行离子刻蚀的步骤中，反应室压强为3mTorr～12mTorr。

9.根据权利要求1所述的曲面纳米结构的制备方法，其特征在于，所述在衬底上旋涂电子束抗蚀剂的步骤之前，还包括清洗所述衬底的步骤。

10.根据权利要求9所述的曲面纳米结构的制备方法，其特征在于，所述清洗所述衬底的步骤包括：先用SC1清洗液清洗所述衬底，再用SC2清洗液清洗所述衬底，其中，所述SC1清洗液包括体积比为1：1：(5～10)的NH₄OH、H₂O₂及水，所述SC2清洗液包括体积比为1：1：(5～10)的HCl、H₂O₂及水。