[发明专利]多晶硅反应炉底盘表面、其涂层缺陷的修复方法以及修复涂层

权利要求书

1.一种多晶硅反应炉底盘表面涂层缺陷的修复方法，其特征在于，包括以下步骤：利用冷喷涂将修复粉末喷涂至基体的缺陷区域，修复粉末的平均粒径是10-100微米；

冷喷涂的工艺条件为：工作气体压力为1-7MPa，工作气体温度为200-1100℃，喷涂距离为10-100毫米，喷枪移动速度为10-800mm/s。

2.根据权利要求1所述的多晶硅反应炉底盘表面涂层缺陷的修复方法，其特征在于，修复粉末的平均粒径是20-50微米；优选地，冷喷涂的工艺条件:工作气体压力为4-5MPa，工作气体温度为800-900℃，喷涂距离为30-40毫米，喷枪移动速度为100mm/s。

3.根据权利要求1所述的多晶硅反应炉底盘表面涂层缺陷的修复方法，其特征在于，还包括：进行冷喷涂之前，对基体的缺陷区域进行预处理；

预处理包括对缺陷区域进行打磨；

优选地，打磨后的缺陷区域的粗糙度Ra小于30μm，更优选地，为1-10μm；

优选地，打磨的倾斜角度不超过20度，更优选地，为小于10度；

优选地，打磨后对缺陷区域进行去灰、除油、清洗及干燥处理；

更优选地，除油和清洗均是利用溶剂对缺陷区域进行处理，去灰和干燥处理均是利用压缩气体进行吹扫。

4.根据权利要求3所述的多晶硅反应炉底盘表面涂层缺陷的修复方法，其特征在于，还包括：在对基体的缺陷区域进行预处理前，对非修复区域进行保护；

优选地，对非修复区域进行保护是对非修复区域进行遮挡。

5.根据权利要求1所述的多晶硅反应炉底盘表面涂层缺陷的修复方法，其特征在于，缺陷区域的缺陷包括原有涂层产生裂纹或者脱落；

优选地，缺陷区域的缺陷是由倒棒造成的划痕以及砸坑。

6.根据权利要求1所述的多晶硅反应炉底盘表面涂层缺陷的修复方法，其特征在于，修复粉末为形成原有涂层的粉末，

优选地，所述修复粉末为纯度大于99.99％的银粉。

7.根据权利要求1所述的多晶硅反应炉底盘表面涂层缺陷的修复方法，其特征在于，还包括：冷喷涂完成后对修复后的缺陷区域进行后处理；

优选地，后处理包括对修复后的缺陷区域磨削抛光和包覆；

优选地，磨削抛光是依次利用目数不断增加的砂纸进行磨削，每道次磨削需将上一道次磨削痕迹抹掉，磨削后进行抛光；

更优选地，目数不断增加的砂纸依次为80目砂纸、150目砂纸、400目砂纸和600目砂纸；

经过磨削抛光后的修复后的缺陷区域的粗糙度Ra小于10μm；

包覆是将薄膜包覆在修复后的缺陷区域表面。

8.一种用于修复多晶硅反应炉底盘表面涂层缺陷的修复涂层，其特征在于，其通过权利要求1-7任一项所述的多晶硅反应炉底盘表面涂层缺陷的修复方法制备得到，所述修复涂层的厚度大于0.5毫米，优选地，为1-2.5毫米。

9.根据权利要求8所述的用于修复多晶硅反应炉底盘表面涂层缺陷的修复涂层，其特征在于，所述修复涂层的结合强度大于30MPa，所述修复涂层的致密度大于99％；

优选地，结合强度为大于50MPa，致密度为99.9％。

10.一种多晶硅反应炉底盘，其特征在于，其具有缺陷区域且缺陷区域表面设置有权利要求8或9所述的用于修复多晶硅反应炉底盘表面涂层缺陷的修复涂层。