[发明专利]半导体器件、测试其的方法和制造其的方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

功能电路；

多个静电放电保护电路，所述多个静电放电保护电路独立于所述功能电路形成，其中，所述多个静电放电保护电路均包括具有不同尺寸和电容的多个结，所述多个静电放电保护电路被配置为分别在制造所述半导体器件的不同工艺中执行静电放电测试；以及

多个测试焊盘，所述多个测试焊盘分别连接到所述多个静电放电保护电路和所述功能电路，其中，所述多个测试焊盘均被配置为接收用于所述静电放电测试的测试信号。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述静电放电测试包括：

在从晶片分离出所述半导体器件之前，对包括所述半导体器件的晶片执行晶片级静电放电测试；

在从所述晶片分离出所述半导体器件并将所述半导体器件组装成半导体封装件之后，对包括所述半导体器件的所述半导体封装件执行封装级静电放电测试；以及

在所述封装级静电放电测试之后执行的后封装级静电放电测试。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述多个静电放电保护电路包括：

第一静电放电保护电路，所述第一静电放电保护电路被配置为执行所述晶片级静电放电测试；

第二静电放电保护电路，所述第二静电放电保护电路被配置为执行所述封装级静电放电测试；以及

第三静电放电保护电路，所述第三静电放电保护电路被配置为执行所述后封装级静电放电测试。

4.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述后封装级静电放电测试包括对包括所述半导体封装件的电子设备执行的设备级静电放电测试。

5.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述后封装级静电放电测试包括对包括所述半导体器件的所述半导体封装件的可靠性静电放电测试。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述多个静电放电保护电路中的每个静电放电保护电路中的所述多个结包括：

第一结，所述第一结具有第一尺寸和第一电容；

第二结，所述第二结具有大于所述第一尺寸的第二尺寸和大于所述第一电容的第二电容；以及

第三结，所述第三结具有大于所述第二尺寸的第三尺寸和大于所述第二电容的第三电容。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，还包括用于所述功能电路的静电放电保护电路，其电连接到所述功能电路并且电连接到所述多个测试焊盘中的电连接到所述功能电路的测试焊盘，其中，用于所述功能电路的静电放电保护电路被配置为保护所述功能电路免受静电放电事件的影响，

其中，用于所述功能电路的静电放电保护电路的尺寸和电容分别与所述第二尺寸和所述第二电容相同。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，包括在所述多个静电放电保护电路中的每个静电放电保护电路中的所述多个结均包括可控硅整流器。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括存储单元，所述存储单元连接到所述多个静电放电保护电路，并被配置为存储所述静电放电测试的结果。

10.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，制造所述半导体器件的不同工艺中的每个工艺的静电放电裕度，是基于存储在所述存储单元中的所述静电放电测试的结果来确定的。

11.一种测试半导体器件的方法，所述方法包括：

使用包括在所述半导体器件中的功能电路和多个静电放电保护电路中的第一静电放电保护电路，对包括所述半导体器件的晶片执行第一测试操作，其中，所述多个静电放电保护电路独立于所述功能电路形成，所述多个静电放电保护电路均包括具有不同尺寸和电容的多个结；

从所述晶片分离出所述半导体器件；

将已经从所述晶片分离出的所述半导体器件组装成半导体封装件；以及

使用所述功能电路和所述多个静电放电保护电路中的第二静电放电保护电路，对包括所述半导体器件的所述半导体封装件执行第二测试操作。