[发明专利]一种基于GaN技术的工业电源在审
| 申请号： | 201910719917.X | 申请日： | 2019-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN110323269A | 公开（公告）日： | 2019-10-11 |
| 发明（设计）人： | 郭清腾;卡斯顿·比尔;卢凯;万锋 | 申请（专利权）人： | 厦门能瑞康电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 福州市博深专利事务所(普通合伙) 35214 | 代理人： | 林振杰 |
| 地址： | 361100 福建省厦门市同安*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 掺质区 工业电源 耗尽区 半导体技术领域 本征半导体 尖峰 方案设计 功率开关 关断电压 关断损耗 开关频率 开关噪声 有效抑制 高频化 扩散区 耐压性 散热性 外延层 减小 耗尽 | ||
1.一种基于GaN技术的工业电源，其特征在于，包括GaN晶体管，所述GaN晶体管包括漏极金属层，在所述漏极金属层表面依次层叠设有外延层、氧化层和栅极金属层，所述外延层中形成有两个以上外延扩散区，所述外延扩散区在所述外延层中呈阵列排布；
所述外延扩散区包括第一掺质区，所述第一掺质区位于所述外延扩散区的中心位置且将所述外延扩散区分成两个外延子扩散区，两个所述外延子扩散区中均设有第二掺质区、第三掺质区和第四掺质区，所述第三掺质区位于所述第二掺质区和第四掺质区之间。
2.根据权利要求1所述的基于GaN技术的工业电源，其特征在于，所述第一掺质区包括第一子掺质区和第二子掺质区，所述第一子掺质区的竖直截面的形状为长方形，所述第二子掺质区的竖直截面的形状为等腰梯形，所述第一子掺质区靠近所述氧化层的位置设置，所述第二子掺质区靠近所述漏极金属层的位置设置。
3.根据权利要求1所述的基于GaN技术的工业电源，其特征在于，所述第一掺质区的掺质类型为N+，所述第二掺质区的掺质类型为N-，所述第三掺质区的掺质类型为P+，所述第四掺质区的掺质类型为N+。
4.根据权利要求1所述的基于GaN技术的工业电源，其特征在于，所述第一掺质区的掺质浓度为1*1018Bar/cm3，所述第二掺质区的掺质浓度为1*1017Bar/cm3，所述第三掺质区的掺质浓度为1*1019Bar/cm3，所述第四掺质区的掺质浓度为1*1017Bar/cm3。
5.根据权利要求1所述的基于GaN技术的工业电源，其特征在于，所述外延层的厚度为1-2μm。
6.根据权利要求1所述的基于GaN技术的工业电源，其特征在于，还包括隔离电路，所述隔离电路与所述GaN晶体管电连接；
所述隔离电路包括电阻R、电容C1和电容C2，所述电阻R的一端分别与所述电容C1的一端和电容C2的一端电连接，所述电阻R的另一端接地。
7.根据权利要求1所述的基于GaN技术的工业电源，其特征在于，还包括源极金属层，所述源极金属层位于所述外延层远离漏极金属层的一侧面，所述源极金属层与所述第四掺质区对应设置，在所述GaN晶体管的水平方向上，所述氧化层和栅极金属层均位于两个源极金属层之间。
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