[发明专利]一种检测机构及检测装置在审
申请号: | 201910720030.2 | 申请日: | 2019-08-06 |
公开(公告)号: | CN110379727A | 公开(公告)日: | 2019-10-25 |
发明(设计)人: | 李文;李昶;徐飞;李泽通;马红伟 | 申请(专利权)人: | 无锡奥特维科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L21/67 |
代理公司: | 无锡永乐唯勤专利代理事务所(普通合伙) 32369 | 代理人: | 孙际德 |
地址: | 214000 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 检测 表面反射 端面反射 相机 表面光源 表面照射 第二表面 第一表面 照射光线 硅片 配置 表面发射 光线反射 光源发射 检测装置 工位 反射 光源 | ||
1.一种检测机构,其特征在于:所述检测机构用于检测处于检测工位的待测硅片的被测边缘,所述被测边缘包括两个相对的第一表面、第二表面及连接所述第一表面和所述第二表面的端面,所述检测机构包括表面光源、端面光源、表面反射机构、端面反射机构及检测相机,其中:
所述表面光源被配置为向所述被测边缘的至少一个表面发射表面照射光线,所述表面反射机构被配置将所述至少一个表面反射的表面照射光线反射至所述检测相机;
所述端面反射机构被配置为将所述端面光源发射的端面照射光线反射至所述被测边缘的端面,端面照射光线经所述被测边缘的端面反射至所述检测相机。
2.如权利要求1所述的检测机构,其特征在于,所述检测工位所在的平面与水平面平行,所述待测硅片呈水平设置,所述第一表面为待测硅片的被测边缘的上表面,所述第二表面为待测硅片的被测边缘的下表面。
3.如权利要求2所述的检测机构,其特征在于:
所述表面光源包括上表面光源和下表面光源,所述表面反射机构包括上表面反射机构和下表面反射机构,其中:
所述上表面光源设置于所述检测工位的上方,所述上表面光源被配置为向所述被测边缘的上表面发射上表面照射光线,所述上表面反射机构被配置为将所述被测边缘的上表面反射的上表面照射光线反射至所述检测相机;
所述下表面光源设置于所述检测工位的下方,所述下表面光源被配置为向所述被测边缘的下表面发射下表面照射光线,所述下表面反射机构被配置为将所述被测边缘的下表面反射的下表面照射光线反射至所述检测相机;
所述端面反射机构设置于所述检测相机和所述检测工位之间,所述端面光源设置于所述端面反射机构的侧边,所述端面反射机构被配置为将所述端面光源发射的端面照射光线沿垂直于所述被测边缘的端面的方向反射至所述被测边缘的端面。
4.如权利要求3所述的检测机构,其特征在于:
所述上表面照射光线从所述被测边缘的上表面反射至所述检测相机的光程长度、所述下表面照射光线从所述被测边缘的下表面反射至所述检测相机的光程长度及所述端面照射光线从所述被测边缘的端面反射至所述检测相机的光程长度相等。
5.如权利要求4所述的检测机构,其特征在于:
所述上表面反射机构包括第一方棱镜,所述第一方棱镜设置在所述上表面光源和所述检测工位之间,所述第一方棱镜被配置为将所述被测边缘的上表面反射的上表面照射光线水平反射至所述检测相机;
所述下表面反射机构包括第二方棱镜,所述第二方棱镜设置在所述下表面光源和所述检测工位之间,所述第二方棱镜被配置为将所述被测边缘的下表面反射的下表面照射光线水平反射至所述检测相机;
所述端面反射机构包括第三方棱镜,所述第三方棱镜被配置为将所述端面光源发射的端面照射光线沿垂直于所述被测边缘的端面的方向反射至所述被测边缘的端面,所述被测边缘的端面将所述端面照射光线水平反射至所述第三方棱镜,所述端面照射光线穿过所述第三方棱镜后进入至所述检测相机。
6.如权利要求5所述的检测机构,其特征在于:
所述第一方棱镜和所述检测相机之间设置有第一柱透镜,所述第一方棱镜将所述被测边缘的上表面反射的上表面照射光线水平反射至所述第一柱透镜,所述上表面照射光线经所述第一柱透镜传输后进入至所述检测相机;
所述第二方棱镜和所述检测相机之间设置有第二柱透镜,所述第二方棱镜将所述被测边缘的下表面反射的下表面照射光线水平反射至所述第二柱透镜,所述下表面照射光线经所述第二柱透镜传输后进入至所述检测相机。
7.一种检测装置,其特征在于:所述检测装置包括第一检测机构和第二检测机构,所述第一检测机构和所述第二检测机构为权利要求1至6任一项所述的检测机构,其中:
所述第一检测机构用于检测待测硅片的第一被测边缘,所述第二检测机构用于检测待测硅片的第二被测边缘,所述第一被测边缘和所述第二被测边缘为所述待测硅片上相对的且与所述待测硅片的传输方向平行的两条侧边缘。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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