[发明专利]一种双波导耦合式的等离子电光调制器在审
| 申请号： | 201910720052.9 | 申请日： | 2019-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN110456528A | 公开（公告）日： | 2019-11-15 |
| 发明（设计）人： | 许川佩;梁志勋;胡聪;杜社会;朱爱军 | 申请（专利权）人： | 桂林电子科技大学 |
| 主分类号： | G02F1/025 | 分类号： | G02F1/025;G02F1/00 |
| 代理公司： | 11429 北京中济纬天专利代理有限公司 | 代理人： | 石燕妮<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 541004广西壮*** | 国省代码： | 广西;45 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 波导 上光 电光调制器 导体层 施加 波导参数 波导耦合 传输调制 激光信号 阳极电压 阴极电压 耦合效率 网络 等离子 波导面 连接片 消光比 直通型 可用 刻蚀 沉积 激光 兼容 应用 | ||
1.一种双波导耦合式的等离子电光调制器，连接于片上光网络，其特征在于：所述双波导耦合式的等离子电光调制器包括SiO2基，SiO2基上刻蚀三条波导参数一致的Si波导，外侧的Si波导用于输入激光，另外一侧的Si波导用于传输调制好的激光信号并连接片上光网络；位于中间的Si波导的上方沉积有第一HfO2层、ITO层、第二HfO2层及导体层；
所述导体层施加阳极电压，位于SiO2基上方的Si波导面用于施加阴极电压。
2.根据权利要求1所述双波导耦合式的等离子电光调制器，其特征在于：所述Si波导为脊型Si波导。
3.根据权利要求2所述双波导耦合式的等离子电光调制器，其特征在于：所述导体层为Au层。
4.根据权利要求3所述双波导耦合式的等离子电光调制器，其特征在于：所述脊型Si波导的高度为透视谱窗口发生移动的高度。
5.根据权利要求1-4任一所述双波导耦合式的等离子电光调制器，其特征在于：所述片上光网络为ORNoC拓扑结构的片上光网络。
6.根据权利要求1-4任一所述双波导耦合式的等离子电光调制器，其特征在于：沉积采用喷溅工艺方法。
7.根据权利要求3所述双波导耦合式的等离子电光调制器，其特征在于：所述脊型Si波导的宽度Wg＝400nm，相邻Si波导之间的间距Wgap＝150nm，位于两侧的两条脊型Si波导的波导高度Hg＝180nm，位于中间的脊型Si波导高度Hig＝180nm，第一HfO2层的厚度Hig＝15nm、ITO层厚度HHfO＝20nm、第二HfO2层厚度Hig＝15nm、Au层厚度HAu＝500nm及脊型Si波导长度Lcoupling＝8500nm；所述双波导耦合式的等离子电光调制器的工作波长为1400nm-1600nm。
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