[发明专利]构成RFID电子标签的整流器及前端电路

权利要求书

1.构成RFID电子标签的整流器及前端电路，包括整流器、电压钳位电路、LDO电路和上电复位电路，其特征在于：所述整流器与电压钳位电路连接，电压钳位电路连接有LDO电路和储能电容CL，LDO电路与上电复位电路连接，所述整流器从RF天线接收信号转换为直流信号，经电压钳位电路的调节后把能量存储到储能电容CL，储能电容CL为LDO电路提供电源，LDO电路给上电复位电路提供电源；

所述电压钳位电路由NMOS管MN21,NMOS管MN22,NMOS管MN23,NMOS管MN24,NMOS管MN25，NMOS管MN26和电阻R1,电阻R2组成，NMOS管MN21,NMOS管MN25，NMOS管MN26的漏极与NMOS管MN21的栅极相连、并作为输入端与整流器的输出端和储能电容CL的一端连接，储能电容CL的另一端接地；NMOS管MN21的源极连接NMOS管MN22的漏极和栅极，NMOS管MN22的源极连接NMOS管MN23的漏极和栅极，NMOS管MN23的源极连接NMOS管MN24的漏极和栅极，NMOS管MN24的源极与电阻R1的一端和NMOS管MN25的栅极连接，NMOS管MN25的源极与电阻R2的一端和NMOS管MN26的栅极连接，NMOS管MN26的源极与电阻R1，电阻R2的另一端连接、并接地；

所述LDO电路由PMOS管MP30，PMOS管MP31，PMOS管MP32，PMOS管MP33，PMOS管MP34，PMOS管MP35，PMOS管MP36，PMOS管MP37，PMOS管MP38，PMOS管MP39、电容C31,电容C32、电阻R3和NMOS管MN31，NMOS管MN32，NMOS管MN33，NMOS管MN34，NMOS管MN35，NMOS管MN36，NMOS管MN37，NMOS管MN38，NMOS管MN39组成；PMOS管MP34，PMOS管MP31，PMOS管MP32，PMOS管MP33，PMOS管MP35，PMOS管MP36，PMOS管MP39的源极与PMOS管MP37，PMOS管MP38的漏极相连、并与PMOS管MP30的栅极和储能电容CL的一端连接，PMOS管MP30的源极与PMOS管MP32的漏极、栅极和电容C31的一端、PMOS管MP31的栅极连接，电容C31的另一端与PMOS管MP30的漏极、NMOS管MN39，NMOS管MN38，NMOS管MN37，NMOS管MN36，NMOS管MN35，NMOS管MN34，NMOS管MN33的源极连接，并在NMOS管MN34的源极连接点接地；NMOS管MN31的栅极经电阻与NMOS管MN33的源极、电容C32的一端和PMOS管MP39的漏极相连、并在PMOS管MP39的漏极连接点作为输出端，源极与NMOS管MN32的源极和NMOS管MN33的漏极连接，漏极与PMOS管MP37的源极、栅极和PMOS管MP38的栅极相连；NMOS管MN32的栅极与电阻R3的一端和PMOS管MP35的漏极相连，漏极与电容C32的另一端、PMOS管MP38的源极和PMOS管MP39的栅极相连；NMOS管MN33的栅极与NMOS管MN34的栅极、漏极和PMOS管MP36的漏极相连接；NMOS管MN35的漏极、栅极与电阻R3的另一端连接；NMOS管MN36的漏极与NMOS管MN38的漏极、PMOS管MP34的漏极和栅极连接、栅极与NMOS管MN37的栅极和漏极、PMOS管MP33的漏极连接；PMOS管MP33，PMOS管MP34，PMOS管MP35，PMOS管MP36的栅极相连接；NMOS管MN38的栅极与NMOS管MN39的漏极和PMOS管MP31的漏极连接；NMOS管MN39的栅极连接NMOS管MN35的漏极；

所述上电复位电路由PMOS管MP41，PMOS管MP42，PMOS管MP43，PMOS管MP44，PMOS管MP45，PMOS管MP46、NMOS管MN41，NMOS管MN42，NMOS管MN43，NMOS管MN44，NMOS管MN45、延时电路、异或门、非门和电容C41组成；PMOS管MP41的源极连接NMOS管MN45的漏极、并作为输入端与PMOS管MP39的漏极连接、栅极为外接端口、漏极与PMOS管MP42，PMOS管MP43，PMOS管MP44的源极连接；PMOS管MP42的栅极接漏极、并连接NMOS管MN41的栅极、漏极和NMOS管MN42的栅极；PMOS管MP43的栅极接电容C41的一端和NMOS管MN42的源极、并在连接点接地，漏极与NMOS管MN42的漏极、PMOS管MP44，PMOS管MP45和NMOS管MN43，NMOS管MN44的栅极；PMOS管MP44的漏极连接PMOS管MP46的漏极和PMOS管MP45的源极；PMOS管MP45的漏极相连NMOS管MN43的漏极、PMOS管MP46和NMOS管MN45的栅极，并接延时电路的输入端和异或门的一输入端；PMOS管MP46的源极接地，电容C41的另一端接NMOS管MN41的源极；NMOS管MN43的源极与NMOS管MN44的漏极和NMOS管MN45的源极连接；NMOS管MN44的源极连接NMOS管MN42的源极；NMOS管MN45的漏极连接PMOS管MP41的源极；异或门的另一输入端连接输出端口和延时电路的输出端、输出端连接非门的输入端；非门至少两个串联设置，输出端为上电复位电路的输出端口；

当RF信号的幅度可以使整流器工作时，倍压整流器从RF天线接收超高频段信号转换为直流信号，达到RF到DC的转换，把能量存储到储能电容CL上，电压钳位电路的作用是当VDD直流电压过大时，钳位电路开启对储能电容放电减小电压；当整流电路输出直流电压VDD大于1.84V时，LDO_H输出1.8V高电压，LDO_L输出1V低电压，RFID整体电路开始工作，带隙基准电路产生的V_ref基准电压作为LDO的比较电压。

2.根据权利要求1所述的构成RFID电子标签的整流器及前端电路，其特征在于：所述延时电路由PMOS管MP401，PMOS管MP402，PMOS管MP403，PMOS管MP404，PMOS管MP405、NMOS管MN401，NMOS管MN402，NMOS管MN403和电容C401组成；PMOS管MP401的栅极连接NMOS管MN401的栅极、并作为输入端，漏极连接NMOS管MN401的漏极和PMOS管MP403的栅极，源极与PMOS管MP402，PMOS管MP404，PMOS管MP405的源极连接，并与电源VDDL相连；PMOS管MP402的栅极为外部输入接口，漏极与PMOS管MP403的源极连接；PMOS管MP403的漏极与电容C401的一端、PMOS管MP404和NMOS管MN402的栅极连接；PMOS管MP404的漏极与NMOS管MN402的漏极、PMOS管MP405和NMOS管MN403的栅极连接；PMOS管MP405的漏极与NMOS管MN403的漏极连接，并作为输出端；NMOS管MN401的源极与电容C401的另一端、NMOS管MN402，NMOS管MN403的源极相连接，并与GND相连接地。