[发明专利]一种恒定功率线性稳压器

权利要求书

1.一种恒定功率线性稳压器，设有误差放大器VA、功率传输管Ppower以及电阻R1和R2构成的线性稳压器控制环路，误差放大器VA的负输入端连接基准电压VREF，误差放大器VA的正输入端连接电阻R1与R2的连接端，电阻R2的另一端接地，电阻R1的另一端连接功率传输管Ppower的漏极并作为输出端OUT，误差放大器VA的输出端连接功率传输管Ppower的栅极，功率传输管Ppower的源极和衬底互连并连接电源VCC；

其特征在于，增设误差放大器TA和二极管D1，误差放大器TA的正输入端连接线性稳压器芯片的温度值T_DIE，误差放大器TA的负输入端连接温度参考基准值Tref，误差放大器TA的输出端连接二极管D1的正端，二极管D1的负端连接误差放大器VA的正端和电阻R1与R2的连接端。

2.根据权利要求1所述的恒定功率线性稳压器，其特征在于，所述线性稳压器芯片的温度值T_DIE是通过检测与芯片温度相关的电压得到的，采用双极晶体管的基级和发射极Vbe电压作为芯片温度值T_DIE，连接误差放大器TA的负输入端；所述温度参考基准值Tref采用零温度系数的基准电压VT作为温度参考基准值，连接误差放大器TA的正输入端。

3.根据权利要求2所述的恒定功率线性稳压器，其特征在于，所述线性稳压器芯片的温度值T_DIE及温度参考基准值Tref的产生电路包括PMOS管P10、双极晶体管pnp1、双极晶体管pnp2以及电阻R10、电阻R20、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6和误差放大器VA2；PMOS管P10的源极与衬底互连并连接电源VCC，PMOS管P10的漏极连接电阻R10的一端和电阻R5的一端并作为基准电压VREF输出端，电阻R10的另一端连接电阻R20的一端和电阻R3的一端，电阻R20的另一端连接双极晶体管pnp1的发射极和误差放大器VA2的负输入端，双极晶体管pnp1的基极与集电极互连并接地，电阻R3的另一端连接电阻R4的一端和误差放大器VA2的正输入端，电阻R4的另一端连接双极晶体管pnp2的发射极，双极晶体管pnp2的基极与集电极互连并接地，误差放大器VA2的输出端连接PMOS管P10的栅极，电阻R5的另一端串联电阻R6后接地，双极晶体管pnp1的发射极作为电压Vbe的输出端即芯片温度值T_DIE的输出端，电阻R5与电阻R6的连接端作为零温度系数的基准电压VT的输出端即温度参考基准值Tref的输出端。

4.根据权利要求3所述的恒定功率线性稳压器，其特征在于，所述PMOS管P10为增强型MOS管。

5.根据权利要求3或4所述的恒定功率线性稳压器，其特征在于，所述误差放大器VA2包括PMOS管P11、PMOS管P20、PMOS管P30、PMOS管P40、NMOS管N10、NMOS管N20、NMOS管N30和电容Cc；PMOS管P30的源极与衬底互连并连接电源VCC，PMOS管P30的栅极连接偏置电压bias，PMOS管P30的漏极连接PMOS管P11的源极和衬底以及PMOS管P20的源极和衬底，PMOS管P11的漏极连接NMOS管N10的栅极和漏极以及NMOS管N20的栅极，NMOS管N10的源极与衬底互连并接地，PMOS管P20的漏极连接NMOS管N20的漏极、NMOS管N30的栅极和电容Cc的一端，NMOS管N20的源极和衬底以及电容Cc的另一端均接地，PMOS管P40的源极与衬底互连并连接电源VCC，PMOS管P40的栅极与漏极互连并连接NMOS管N30的漏极并作为误差放大器VA2的输出端，NMOS管N30的源极与衬底互连并接地，PMOS管P11的栅极为误差放大器VA2的负输入端，PMOS管P20的栅极为误差放大器VA2的正输入端。

6.根据权利要求5所述的恒定功率线性稳压器，其特征在于，所述PMOS管P11、PMOS管P20、PMOS管P30、PMOS管P40、NMOS管N10、NMOS管N20和NMOS管N30均为增强型MOS管。