[发明专利]数据存储的方法及终端设备

说明书

本发明适用于数据处理技术领域，提供了一种数据存储的方法及终端设备，该方法包括：将实时数据以覆盖在前数据的方式存储在第一存储设备中的第一区域；当所述RTC时间满足转存条件时，从第二存储设备中确定待转入扇区；获取所述待转入扇区中原始数据，将所述原始数据、待写入数据以及第一校验码存储在所述第一存储区域中的第二区域；将所述待写入数据存储在所述待转入扇区，且当所述待写入数据写入所述第二存储设备的所述待转入扇区后擦除所述第二区域，可以解决现有技术中采用第一存储设备存储数据成本高，采用第二存储设备存储实时统计的数据擦写次数有限的问题。

技术领域

本发明属于数据处理技术领域，尤其涉及一种数据存储的方法及终端设备。

背景技术

数据存储通常采用非易失性存储器，例如FLASH、FRAM。FLASH按数据接口形式可分并行口FLASH与串行口FLASH，两者区别在于数据接口数及读写速度，另外串行口FLASH成本低于并行口FLASH。SPI FLASH属串行口FLASH，它的字节读速度在3us左右，字节写速度在30us左右，可重复擦写10万次，并且成本低。FRAM为铁电存储器，其使用铁电晶体薄膜技术，故在读写速度及擦写次数上有绝对优势，单字节读写速度均为100ns左右，可重复擦写100亿次，并且当超过擦写次数后仅失去掉电存储功能而仍可作为RAM使用。但FRAM成本较高，2K大小的FRAM与8M的SPI FLASH售价相当。

由于光伏并网逆变器要求可对发电量数据进行实时统计并进行掉电存储，且保证至少20年的数据存储量。为实现数据的实时存储，一般采用写入速度快、擦写次数不受限制的FRAM进行数据存储。但FRAM成本高，当需要存储的数据量较大时，将大大抬高系统成本。若采用SPI FLASH进行数据存储，虽然其成本低，但其擦写次数有限，在每次写入数据之前必须擦除扇区，当数据需要实时存储、频繁擦写时将受到使用寿命的限制。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供了数据存储的方法及终端设备，以解决现有技术中采用FRAM存储发电量数据成本高，采用SPI FLASH存储实时统计的发电量数据擦写次数有限的问题。

本发明实施例的第一方面提供了一种数据存储的方法，包括：

将实时数据以覆盖在前数据的方式存储在第一存储设备中的第一区域；

检测实时时钟RTC时间是否满足转存条件；当所述RTC时间满足转存条件时，从第二存储设备中确定待转入扇区；

获取所述待转入扇区中原始数据，将所述原始数据、待写入数据以及第一校验码存储在所述第一存储区域中的第二区域，所述待写入数据为RTC时间满足转存条件时存储在所述第一区域的实时数据，所述第一校验码用于校验所述待写入数据成功存储到所述第二区域中；

将所述待写入数据存储在所述待转入扇区，且当所述待写入数据写入所述第二存储设备的所述待转入扇区后擦除所述第二区域；

其中，所述第一存储设备的擦写次数高于第二存储设备，且所述第一存储设备的存储空间低于第二存储设备，所述第一区域的存储空间低于所述第二区域，所述第二区域的存储空间不低于待转入扇区，所述第二存储设备包括N个存储空间相同的扇区，所述N为大于1的整数。

在一实施例中，所述第一区域中存储数据更新日期和所述实时数据；

所述第二区域中存储所述待转入扇区的首地址、所述原始数据、所述待写入数据以及所述第一校验码；

所述第二存储设备的任一扇区均存储年份和该年份的数据。

在一实施例中，所述检测实时时钟RTC时间是否满足转存条件；当所述RTC时间满足转存条件时，从第二存储设备中确定待转入扇区，包括：

分别获取RTC时间以及所述第一区域的数据更新日期；

检测所述RTC时间是否小于所述数据更新日期；