[发明专利]一种晶圆最大加工损伤的精准定位方法

权利要求书

1.一种晶圆最大加工损伤的精准定位方法，其特征在于：

在晶圆的非加工面沉积用于辅助测量的薄膜层，该非加工面与加工面相互平行且呈背向设置，该非加工面为光滑无损表面；再在晶圆的加工面进行至少一道减薄加工操作，并在每一道减薄加工操作之前后，将椭偏仪的入射光以设定的入射角扫描非加工面上的薄膜层，入射光在薄膜层和晶圆中经反射和折射后由薄膜层表面出射的椭偏信号经椭偏仪探测器接收，一旦在辅助测量薄膜层上探测到的椭偏信号出现变化，则该出现椭偏信号变化对应的位置即为最大加工损伤位置。

2.根据权利要求1所述的一种晶圆最大加工损伤的精准定位方法，其特征在于：该晶圆为半导体晶圆。

3.根据权利要求1所述的一种晶圆最大加工损伤的精准定位方法，其特征在于：该薄膜层为单层薄膜。

4.根据权利要求1所述的一种晶圆最大加工损伤的精准定位方法，其特征在于：该薄膜层为多层薄膜。

5.根据权利要求1所述的一种晶圆最大加工损伤的精准定位方法，其特征在于：该椭偏仪的入射光为复色光，其波长覆盖紫外光、可见光和近红外光波段。

6.根据权利要求1所述的一种晶圆最大加工损伤的精准定位方法，其特征在于：该椭偏仪的入射光以斜入射的方式入射在薄膜层上。