[发明专利]半导体结构的形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供第一晶圆，所述第一晶圆包括第一基底以及位于所述第一基底表面的第一介质层，所述第一介质层内具有第一导电结构，所述第一介质层表面暴露出所述第一导电结构表面，所述第一晶圆包括相对的第一面和第二面，且所述第一面为所述第一介质层表面和暴露出的所述第一导电结构表面；

对所述第一面进行第一表面处理，去除所述第一介质层表面的缺陷和所述第一导电结构表面的副产物；

提供第二晶圆；

在所述第一表面处理之后，将所述第一晶圆的第一面朝向所述第二晶圆进行键合。

2.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二晶圆包括第二基底以及位于所述第二基底表面的第二介质层，所述第二介质层内具有第二导电结构，所述第二介质层表面暴露出所述第二导电结构表面，所述第二晶圆包括相对的第三面和第四面，且所述第三面为所述第二介质层表面和暴露出的所述第二导电结构表面。

3.如权利要求2所述半导体结构的形成方法，其特征在于，对所述第三面进行第二表面处理，去除所述第二介质层表面的缺陷和所述第二导电结构表面的副产物。

4.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于：所述第一介质层表面的缺陷包括悬挂键；所述第一导电结构表面的副产物包括氧化铜。

5.如权利要求3所述半导体结构的形成方法，其特征在于：所述第二介质层表面的缺陷包括悬挂键；所述第二导电结构表面的副产物包括氧化铜。

6.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一表面处理包括：在含氢气氛中对所述第一面进行第一退火处理。

7.如权利要求3所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二表面处理包括：在含氢气氛中对所述第三面进行第二退火处理。

8.如权利要求6所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一退火处理中含氢气氛包括氢气；所述第一退火处理的工艺参数包括：温度范围为200℃～300℃，处理时间为10min～1h。

9.如权利要求7所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二退火处理中含氢气氛包括氢气；所述第二退火处理的工艺参数包括：温度范围为200℃～300℃，处理时间为10min～1h。

10.如权利要求2所述半导体结构的形成方法，其特征在于，对所述第一晶圆与所述第二晶圆进行键合的方法包括：将所述第一晶圆的第一面与所述第二晶圆的第三面进行挤压贴合；将所述第一晶圆与所述第二晶圆挤压贴合之后，对所述第一晶圆与所述第二晶圆进行第三退火处理。

11.如权利要求10所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第三退火处理的工艺参数包括：温度范围为300℃～400℃，处理时间为1h～3h。