[发明专利]一种三态门装置在审
申请号: | 201910721932.8 | 申请日: | 2019-08-06 |
公开(公告)号: | CN110417404A | 公开(公告)日: | 2019-11-05 |
发明(设计)人: | 徐中干 | 申请(专利权)人: | 杭州展虹科技有限公司 |
主分类号: | H03K19/20 | 分类号: | H03K19/20;H03K19/094 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 310012 浙江省杭州市*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 三态门 输出状态 线路结构 | ||
本发明公开了一种三态门装置。一种三态门装置包括第一NMOS管、第一PMOS管和第二NMOS管。利用本发明提供的三态门装置可以提供三个稳定的输出状态,且线路结构简单。
技术领域
本发明涉及集成电路技术领域,尤其涉及到三态门装置。
背景技术
为了得到三个稳定的电路输出状态,需要对电路的线路结构进行优化,这样才能不会输出错误的信号,否则会对整个电路造成功能失效。
发明内容
本发明旨在解决现有技术的不足,提供一种三态门装置。
一种三态门装置,包括第一NMOS管、第一PMOS管和第二NMOS管:
所述第一NMOS管的栅极接输入端A,漏极接电源电压VCC,源极接所述第一PMOS管的源极;所述第一PMOS管的栅极接输入端B,漏极接所述第二NMOS管的漏极并作为三态门装置的输出端OUT,源极接所述第一NMOS管的源极;所述第二NMOS管的栅极接输入端B,漏极接所述第一PMOS管的漏极并作为三态门装置的输出端OUT,源极接地。
当三态门装置的输入端B为高电平时,输入端A为高电平或低电平时,所述第一PMOS管的栅极为高电平,所述第二NMOS管的栅极为高电平,三态门装置的输出端OUT为低电平;当三态门装置的输入端B为低电平时,输入端A为高电平时,所述第一NMOS管的栅极为高电平,所述第一PMOS管的栅极为低电平,三态门装置的输出端OUT为高电平;三态门装置的输入端B为低电平时,输入端A为低电平时,所述第一NMOS管的栅极为低电平,所述第二NMOS管的栅极为低电平,三态门装置的输出端OUT为高阻态。
附图说明
图1为本发明的三态门装置的电路图。
具体实施方式
以下结合附图对本发明内容进一步说明。
一种三态门装置,如图1所示,包括第一NMOS管10、第一PMOS管20和第二NMOS管30:
所述第一NMOS管10的栅极接输入端A,漏极接电源电压VCC,源极接所述第一PMOS管20的源极;所述第一PMOS管20的栅极接输入端B,漏极接所述第二NMOS管30的漏极并作为三态门装置的输出端OUT,源极接所述第一NMOS管10的源极;所述第二NMOS管30的栅极接输入端B,漏极接所述第一PMOS管20的漏极并作为三态门装置的输出端OUT,源极接地。
当三态门装置的输入端B为高电平时,输入端A为高电平或低电平时,所述第一PMOS管20的栅极为高电平,所述第二NMOS管30的栅极为高电平,三态门装置的输出端OUT为低电平;当三态门装置的输入端B为低电平时,输入端A为高电平时,所述第一NMOS管10的栅极为高电平,所述第一PMOS管20的栅极为低电平,三态门装置的输出端OUT为高电平;三态门装置的输入端B为低电平时,输入端A为低电平时,所述第一NMOS管10的栅极为低电平,所述第二NMOS管30的栅极为低电平,三态门装置的输出端OUT为高阻态。
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