[发明专利]晶背减薄的方法在审
| 申请号： | 201910721979.4 | 申请日： | 2019-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN110429023A | 公开（公告）日： | 2019-11-08 |
| 发明（设计）人： | 余兴 | 申请（专利权）人： | 芯盟科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;B24B37/04 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤 |
| 地址： | 314400 浙江省嘉兴市海宁市海*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体晶圆 减薄 背面 化学机械研磨 粗糙度 平整度 晶背 生产周期 蚀刻 氧化剂 机械研磨 精细研磨 强氧化剂 制造成本 晶圆 预设 种晶 | ||
1.一种晶背减薄的方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供一半导体晶圆，所述半导体晶圆具有一背面；
对所述半导体晶圆的背面进行精细研磨，以减薄所述半导体晶圆及初步改善所述半导体晶圆背面的平整度及粗糙度；
对所述半导体晶圆背面继续进行第一次化学机械研磨，以减薄所述半导体晶圆及进一步改善所述半导体晶圆背面的平整度及粗糙度；
对所述半导体晶圆背面继续进行第二次化学机械研磨，使所述半导体晶圆的晶背减薄至预设厚度，在进行第二次化学机械研磨时，添加强氧化剂，所述强氧化剂作用于所述半导体晶圆背面，以使所述半导体晶圆的背面的平整度及粗糙度达到预设值。
2.根据权利要求1所述的晶背减薄的方法，其特征在于，在对所述半导体晶圆背面进行精细研磨的步骤之前，还包括一初步减薄所述半导体晶圆的步骤：对所述半导体晶圆背面进行机械研磨，使所述半导体晶圆的背面减薄至一第一厚度。
3.根据权利要求2所述的晶背减薄的方法，其特征在于，所述第一厚度的范围为30～40微米。
4.根据权利要求1所述的晶背减薄的方法，其特征在于，所述半导体晶圆为一器件晶圆，所述背面为所述器件晶圆未设置金属布线的表面。
5.根据权利要求4所述的晶背减薄的方法，其特征在于，在进行精细研磨之前，还包括一键合的步骤：
将一载体晶圆与所述器件晶圆键合，所述器件晶圆设置有金属布线的表面与所述载体晶圆键合。
6.根据权利要求1所述的晶背减薄的方法，其特征在于，对所述半导体晶圆的背面进行精细研磨的步骤后，所述半导体晶圆的背面的厚度为10～20微米。
7.根据权利要求1所述的晶背减薄的方法，其特征在于，对所述半导体晶圆背面进行第一次化学机械研磨的步骤后，所述半导体晶圆的背面的厚度为4～6微米。
8.根据权利要求1所述的晶背减薄的方法，其特征在于，对所述半导体晶圆背面进行第二次化学机械研磨的步骤后，所述半导体晶圆的背面的厚度为2～3微米。
9.根据权利要求1所述的晶背减薄的方法，其特征在于，对所述半导体晶圆背面进行第二次化学机械研磨的步骤中，所述强氧化剂添加在化学机械研磨的研磨剂中，或者所述强氧化剂喷涂在化学机械研磨的研磨垫上。
10.根据权利要求1所述的晶背减薄的方法，其特征在于，所述强氧化剂为双氧水。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
