[发明专利]一种用于反应釜的宽禁带半导体纳米瓷釉及搪烧方法在审
| 申请号： | 201910723191.7 | 申请日： | 2019-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN110255907A | 公开（公告）日： | 2019-09-20 |
| 发明（设计）人： | 刘勇;隋永臣;王惠君 | 申请（专利权）人： | 淄博中升机械有限公司 |
| 主分类号： | C03C8/02 | 分类号： | C03C8/02;C03C8/14 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 255000 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 宽禁带半导体 反应釜 瓷釉 搪烧 微循环 纳米粉体 纳米离子 纳米银粉 制药行业 重量份数 负离子 基体剂 密着剂 内表面 乳浊剂 石墨烯 助溶剂 制药 体内 | ||
1.一种用于反应釜的宽禁带半导体纳米瓷釉材料，其特征在于：它是由如下重量份数的组分组成：基体剂30～35份，助溶剂12～16份，乳浊剂2～5份，密着剂3～5份，宽禁带半导体纳米粉体30～35份，石墨烯0.2～1份，纳米银粉2～4份。
2.根据权利要求1所述的一种用于反应釜的宽禁带半导体纳米瓷釉材料，其特征在于：所述基体剂选自SiO2、TiO2、ZrO2中的任意一种或两种以上；
所述助溶剂选自Na2O、K2O、Li2O中的任意一种或两种以上；
所述乳浊剂选自SrO2、Sb2O3中的任意一种或两种；
所述密着剂选自Co2O3、NiO、CuO中的任意一种或两种以上。
3.根据权利要求2所述的一种用于反应釜的宽禁带半导体纳米瓷釉材料，其特征在于：所述SiO2、TiO2、ZrO2均是纳米材料。
4.根据权利要求1所述的一种用于反应釜的宽禁带半导体纳米瓷釉材料，其特征在于：所述宽禁带半导体纳米粉体为纳米SiC、纳米GaN中的任意一种或两种。
5.根据权利要求1所述的一种用于反应釜的宽禁带半导体纳米瓷釉材料，其特征在于：所述石墨烯为单层石墨烯、双层石墨烯、多层石墨烯中的任意一种或两种以上。
6.根据权利要求5所述的一种用于反应釜的宽禁带半导体纳米瓷釉材料，其特征在于：所述石墨烯为单层石墨烯、双层石墨烯中的任意一种或两种。
7.一种反应釜纳米瓷釉的搪烧方法，其特征在于：它包括以下步骤：
S1：将权利要求1～6任一项所述纳米瓷釉材料，混合均匀后，加入去离子水按重量计36份～46份；
S2：将步骤S1得到的料浆喷涂于处理后的反应釜内表面，形成湿润瓷釉料层，于140～160℃下干燥15～25min，得到干燥瓷釉料层；
S3：采用大功率激光扫描步骤S2中的干燥瓷釉料层，得到纳米瓷釉层。
8.根据权利要求7所述的一种反应釜纳米瓷釉的搪烧方法，其特征在于：所述步骤S3中的大功率激光的功率不低于3000W，扫描时激光能量密度为40000W/cm2～500000W/cm2。
9.根据权利要求8所述的一种反应釜纳米瓷釉的搪烧方法，其特征在于：所述步骤S3中的大功率激光的扫描速度为1mm/S～8mm/S。
10.根据权利要求9所述的一种反应釜纳米瓷釉的搪烧方法，其特征在于：所述反应釜为食品或制药行业的反应釜。
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