[发明专利]一种单晶硅棒加工装置

说明书

本发明公布了一种单晶硅棒加工装置，包括上炉盖、下炉盖、拉升旋转机构、提拉杆、抽气管、导流筒、石英坩埚、加热器、电机柱，所述上炉盖内设置有沿提拉杆杆壁向下对晶棒进行降温的冷却机构以及防止热量散发的挡热组件，其中冷却机构包括套设在提拉杆外的引流板以及安装风冷器的安装底座，上炉盖的炉体上设置有进风孔，引流板上开设有降温口以及使挡热组件进入对其形成封闭结构的安装槽；所述挡热组件包括密封在安装槽上的隔板和提供压紧力的弹簧，所述提拉杆上设置有在尾部生长状态时抬升隔板的拉块；本发明的目的是提供一种单晶硅棒加工装置，旨在形成环形气流，保证晶棒在同一区域能够均匀冷却，提高晶棒的加工质量。

技术领域

本发明属于技术领域，具体是涉及一种单晶硅棒加工装置。

背景技术

单晶硅是一种比较活泼的非金属元素，是晶体材料的重要组成部分，处于新材料发展的前沿。其主要用途是用作半导体材料和利用太阳能光伏发电、供热等；由于太阳能具有清洁、环保、方便等诸多优势，近三十年来，太阳能利用技术在研究开发、商业化生产、市场开拓方面都获得了长足发展，成为世界快速、稳定发展的新兴产业之一，其中在单晶硅的加工工序中，有一个工序是在长晶炉内进行拉晶，形成单晶硅棒。

在晶棒生长过程中，需要被升至上炉室冷却一段时间后再取出，现有对晶棒进行冷却的机构，均为从侧部直接吹风，虽然侧吹风装置结构简单，操作方便，但冷却程度不均匀，现有的为局部冷却，靠近风面的晶棒冷却快，背面吹不到的晶棒表面冷却慢，直接影响着晶体的形状和内部结构，正对风面一侧的棒面膨胀系数大于背部一侧。

发明内容

本发明的目的是针对以上问题，提供了一种单晶硅棒加工装置，旨在形成环形气流，保证晶棒在同一区域能够均匀冷却，提高晶棒的加工质量。

为实现以上目的，本发明采用的技术方案是，包括上炉盖、下炉盖、拉升旋转机构、提拉杆、抽气管、导流筒、石英坩埚、加热器、电极柱，所述上炉盖内设置有沿提拉杆杆壁向下对晶棒进行降温的冷却机构以及防止热量散发的挡热组件，其中：

冷却机构包括套设在提拉杆外的引流板以及安装风冷器的安装底座，上炉盖的炉体上设置有进风孔，引流板上开设有降温口以及使挡热组件进入对其形成封闭结构的安装槽；

所述挡热组件包括密封在安装槽上的隔板和提供压紧力的弹簧，所述提拉杆上设置有在尾部生长状态时抬升隔板的拉块。

进一步的，所述石英坩埚的外侧焊接有防溢埚，所述防溢埚上开设有流道，所述流道的进料口低于石英坩埚的顶部。

进一步的，所述流道的下端设置有接料槽，所述接料槽上放置有衔接流道出口的接料筒。

进一步的，所述接料槽的侧端设置将接料筒送入的开口，所述开口上密封设置有推料盒体，所述接料筒放置在推料盒体上。

进一步的，所述开口上固定安装有按钮，所述按钮与开关控制器连接，推料盒体的底部具有一滑口，所述滑口上设置有一压板，按钮与压板正对设置。

进一步的，所述推料盒体的侧端设置有拉环。

进一步的，所述推料盒体上还设置有密封件。

进一步的，所述安装槽内设置有缓冲件。

本发明与现有技术相比，本发明的有益效果为：

1、采用环形风流，使晶棒在生长完过程中，能够实现均匀冷却，减少受风面和背风面冷却速度的差异，提高晶体在生长最后阶段的质量。

2、本发明设置有防溢埚，可以预先测量石英坩埚顶部到晶籽之间的距离，以使晶籽下降时，控制好晶籽到熔融液面的高度，确保晶籽的伸入量，防止提拉头进入熔液，造成提拉头损坏。

3、溢出的熔液落入接料筒内，可以从侧部将其拉出，避免造成浪费。